時間：2025/5/30 10:20:22
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SUD50P04-08-GE3 是一款基于溝道增強型工藝的N溝道MOSFET功率晶體管，采用TO-263封裝形式。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于各種高效能要求的電力電子應用領域。
它廣泛應用于直流-直流轉換器、負載開關、電機驅動電路、電源適配器以及便攜式設備的電池管理等領域。
最大漏源電壓：40V
連續(xù)漏極電流：50A
導通電阻（典型值）：4mΩ
柵極電荷（典型值）：12nC
總功耗：17W
工作溫度范圍：-55℃至+175℃
SUD50P04-08-GE3 的主要特性包括以下幾點：
1. 極低的導通電阻，有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高速開關性能，使得其在高頻應用中表現優(yōu)異。
3. 較高的漏極電流承載能力，能夠滿足大功率應用場景的需求。
4. 采用DPAK（TO-263）封裝形式，提供良好的散熱性能和易于PCB布局設計。
5. 符合RoHS標準，綠色環(huán)保。
6. 支持寬泛的工作溫度范圍，適應多種惡劣環(huán)境下的使用需求。
SUD50P04-08-GE3 主要應用于以下場景：
1. 開關電源中的同步整流功能。
2. 用于DC/DC轉換器以提升能源轉化效率。
3. 在負載開關和保護電路中作為關鍵組件。
4. 用作各類電機驅動器的核心功率器件。
5. 為電池管理系統(tǒng)提供高效的充放電控制方案。
6. 工業(yè)自動化及通信設備中的電源管理模塊。
SUD50P04-08-F, SUD50P04-08-E3
