SUM40N10-30-GE3 是一種基于硅材料的高� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),專為高效率�(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用 N 溝道技�(shù),適用于工業(yè)和汽�(chē)�(lǐng)域的功率�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)景�
其封裝形式通常為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)� TO-247 或類似大功率封裝,確保良好的散熱性能和電氣穩(wěn)定�。該型號(hào)以其低導(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和高耐壓能力而著�,能夠滿足各種嚴(yán)苛的工作條件�
最大漏源電壓:1000V
連續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻:65mΩ
柵極電荷�120nC
�(kāi)�(guān)頻率:最高可�(dá) 100kHz
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝形式:TO-247
SUM40N10-30-GE3 的主要特�(diǎn)是其卓越的電氣性能與可靠性:
1. 高耐壓能力:支持高�(dá) 1000V 的漏源電�,適用于高壓�(yīng)用場(chǎng)��
2. 超低�(dǎo)通電阻:在額定電流條件下,其�(dǎo)通電阻僅� 65mΩ,顯著降低傳�(dǎo)損��
3. 快速開(kāi)�(guān)特性:通過(guò)�(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),減少了�(kāi)�(guān)延遲�(shí)間,從而提高了效率并降低了電磁干擾�
4. �(qiáng)大的熱管理:采用大功率封�,結(jié)合高效的散熱�(shè)�(jì),使其能夠在高溫�(huán)境下持續(xù)�(yùn)行�
5. 高可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格的�(zhì)量測(cè)�,確保在惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定性和�(zhǎng)壽命�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換器,如不間斷電� (UPS) 和太�(yáng)能逆變��
2. 電動(dòng)汽車(chē)及混合動(dòng)力汽�(chē)的動(dòng)力系�(tǒng),包括電�(jī)控制器和�(chē)載充電器�
3. 大功� LED �(qū)�(dòng)電路,提供高效穩(wěn)定的電流輸出�
4. 各類�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路,用于防止過(guò)流或短路�
5. 高壓直流輸電系統(tǒng)中的�(guān)鍵組��
SUM40N10-30-GE2
SUM40N10-25-GE3
IRFP460
FDP18N100