SUM90N06-4M4P-E3是一款N溝道增強型MOSFET晶體�,主要應用于高頻開關(guān)、電源管理以及功率轉(zhuǎn)換等�(lǐng)�。該型號采用先進的半導體制造工�,具有低導通電阻和快速開�(guān)速度的特點,適合在高效能要求的電路中使用。此器件能夠承受較高的漏源電壓,并且具備良好的熱�(wěn)定�,確保在各種復雜�(huán)境下的可靠運行�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�9A
導通電阻(典型值)�4.4mΩ
柵極電荷�18nC
反向恢復時間�50ns
工作溫度范圍�-55℃至150�
SUM90N06-4M4P-E3的主要特點是其低導通電�,這有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率。同時,它具有非常低的柵極電�,支持快速開�(guān)操作,減少開�(guān)損�。該器件還具備出色的熱性能,使其能夠在高電流和高頻率的應用中保持穩(wěn)�。能�,進一步增強了長期工作的可靠��
該芯片適用于需要高效能量轉(zhuǎn)換和低熱量產(chǎn)生的場景,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開�(guān)等應��
DC-DC�(zhuǎn)換器
電機�(qū)�
電池保護電路
負載開關(guān)
逆變�
LED�(qū)�
通信電源
SUM90N06-4M4P-E2
SUM90N06-4M4P-E4
IRFZ44N
FDP170N06L