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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SUM90N08-7M6P

SUM90N08-7M6P 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 0:44:09 查看 閱讀�18

SUM90N08-7M6P 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的功率晶體管,適用于高頻和高效能�(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的增�(qiáng)� GaN HEMT 工藝,具有高�(kāi)�(guān)速度、低�(dǎo)通電阻和出色的熱性能。其封裝�(shè)�(jì)使其適合表面貼裝工藝,并且能夠滿足消�(fèi)電子、工�(yè)電源以及通信�(shè)備等�(lǐng)域的需��
  由于 GaN 材料的獨(dú)特性質(zhì),SUM90N08-7M6P 在開(kāi)�(guān)頻率和效率方面顯著優(yōu)于傳�(tǒng)的硅� MOSFET。此�,它還支持高�(dá) 100V 的工作電�,同�(shí)保持較低的導(dǎo)通損耗和�(kāi)�(guān)損耗�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�9A
  �(dǎo)通電阻:8mΩ
  柵極電荷�35nC
  反向恢復(fù)電荷:無(wú)
  �(kāi)�(guān)頻率:高�(dá) 5MHz
  �(jié)溫范圍:-55°C � +150°C
  封裝�(lèi)型:LFPAK

特�

1. 使用氮化鎵技�(shù)�(shí)�(xiàn)超低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)能力�
  2. 高達(dá) 100V 的額定電壓使其適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)景�
  3. 支持高頻率操作(最高可�(dá) 5MHz�,減少磁性元件體積并提升系統(tǒng)功率密度�
  4. 封裝緊湊,便于在 PCB 上�(jìn)行高密度布局�
  5. 出色的熱性能有助于提高整體系�(tǒng)的可靠性和效率�
  6. �(nèi)� ESD 保護(hù)以增�(qiáng)器件的魯棒��
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保友好�

�(yīng)�

SUM90N08-7M6P 廣泛�(yīng)用于需要高性能和小尺寸解決方案的領(lǐng)�,包括但不限于以下場(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. �(wú)線充電模�
  4. 汽車(chē)電子中的輔助電源管理
  5. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  6. 快速充電適配器
  7. LED �(qū)�(dòng)電路
  8. 可再生能源逆變�

替代型號(hào)

SUM80N06-7M6P
  SUM100N06-7M6P
  GXT90N100HP
  STGAP100

sum90n08-7m6p推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)