SUM90N08-7M6P 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的功率晶體管,適用于高頻和高效能�(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的增�(qiáng)� GaN HEMT 工藝,具有高�(kāi)�(guān)速度、低�(dǎo)通電阻和出色的熱性能。其封裝�(shè)�(jì)使其適合表面貼裝工藝,并且能夠滿足消�(fèi)電子、工�(yè)電源以及通信�(shè)備等�(lǐng)域的需��
由于 GaN 材料的獨(dú)特性質(zhì),SUM90N08-7M6P 在開(kāi)�(guān)頻率和效率方面顯著優(yōu)于傳�(tǒng)的硅� MOSFET。此�,它還支持高�(dá) 100V 的工作電�,同�(shí)保持較低的導(dǎo)通損耗和�(kāi)�(guān)損耗�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�9A
�(dǎo)通電阻:8mΩ
柵極電荷�35nC
反向恢復(fù)電荷:無(wú)
�(kāi)�(guān)頻率:高�(dá) 5MHz
�(jié)溫范圍:-55°C � +150°C
封裝�(lèi)型:LFPAK
1. 使用氮化鎵技�(shù)�(shí)�(xiàn)超低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)能力�
2. 高達(dá) 100V 的額定電壓使其適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)景�
3. 支持高頻率操作(最高可�(dá) 5MHz�,減少磁性元件體積并提升系統(tǒng)功率密度�
4. 封裝緊湊,便于在 PCB 上�(jìn)行高密度布局�
5. 出色的熱性能有助于提高整體系�(tǒng)的可靠性和效率�
6. �(nèi)� ESD 保護(hù)以增�(qiáng)器件的魯棒��
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保友好�
SUM90N08-7M6P 廣泛�(yīng)用于需要高性能和小尺寸解決方案的領(lǐng)�,包括但不限于以下場(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. �(wú)線充電模�
4. 汽車(chē)電子中的輔助電源管理
5. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制�
6. 快速充電適配器
7. LED �(qū)�(dòng)電路
8. 可再生能源逆變�
SUM80N06-7M6P
SUM100N06-7M6P
GXT90N100HP
STGAP100