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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SUP75N08-10

SUP75N08-10 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 18:54:27 查看 閱讀�26

SUP75N08-10是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,適用于高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用TO-220封裝形式,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的熱性能,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  這種MOSFET在電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及�(fù)載切換等�(lǐng)域有廣泛�(yīng)�。其出色的電氣特性使其成為設(shè)�(jì)高效能電路的理想選擇�

參數(shù)

型號(hào):SUP75N08-10
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  封裝:TO-220
  最大漏源電�(Vds)�80V
  最大柵極源極電�(Vgs):�20V
  最大漏極電�(Id)�75A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�3.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
  總功�(Ptot)�165W
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

SUP75N08-10的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損�,提高整體效��
  2. 高電流處理能力,支持高達(dá)75A的最大漏極電�,適合大功率�(yīng)��
  3. 快速開�(guān)性能,具備較低的輸入電容(Ciss),減少開�(guān)�(shí)間及開關(guān)損耗�
  4. �(qiáng)大的雪崩能量承受能力,提升系�(tǒng)的可靠性和魯棒性�
  5. TO-220�(biāo)�(zhǔn)封裝,便于散熱設(shè)�(jì),并提供良好的機(jī)械穩(wěn)定��
  6. 寬廣的工作溫度范�,從-55℃到+175�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��

�(yīng)�

SUP75N08-10適用于多種電力電子領(lǐng)域中的高性能需求場(chǎng)景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率�(jí)開關(guān)元件�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制,例如無(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)控制器中的逆變橋臂�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于電池管理系�(tǒng)或汽車電子設(shè)備中的電壓調(diào)節(jié)�
  4. �(fù)載切換電�,如工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的動(dòng)�(tài)�(fù)載管理�
  5. 充電器和適配器中作為主開�(guān)管或同步整流管使��
  6. 可再生能源系�(tǒng),如太陽(yáng)能微型逆變器或�(fēng)力發(fā)電模塊中的功率轉(zhuǎn)換部��

替代型號(hào)

IRFZ44N, STP75NF06L, FQP75N06

sup75n08-10推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
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sup75n08-10資料 更多>

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sup75n08-10參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓75 V
  • �/源擊穿電�+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流75 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)10 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作溫�+ 175 C
  • 安裝�(fēng)�Through Hole
  • 封裝 / 箱體TO-220AB-3
  • 封裝Tube
  • 下降�(shí)�20 ns
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散187 W
  • 上升�(shí)�95 ns
  • 工廠包裝�(shù)�100
  • 商標(biāo)�TrenchFET
  • 典型�(guān)閉延遲時(shí)�65 ns