SURS8205T3G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)芯片,專為開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適用于多種功率�(zhuǎn)換場(chǎng)�。它廣泛用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載切換等�(lǐng)��
該型�(hào)屬于 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,通過(guò)�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),實(shí)�(xiàn)了更高效的功率傳輸和更低的能量損��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(V_DS)�60V
最大柵源電�(V_GS):�20V
最大漏極電�(I_D)�14A
�(dǎo)通電�(R_DS(on))�4.5mΩ(在 V_GS=10V �(shí)�
總功�(P_TOT)�27W
�(jié)溫范�(T_J)�-55� � +175�
封裝形式:TO-263-3
SURS8205T3G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� R_DS(on),可顯著降低傳導(dǎo)損耗并提高效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,有助于減少�(kāi)�(guān)損耗,特別適合高頻�(yīng)��
3. 高擊穿電壓,確保在高電壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
4. 良好的熱性能,能夠承受較高的�(jié)溫范�,提升系�(tǒng)的可靠性�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
6. �(nèi)� ESD 保護(hù),增�(qiáng)器件的抗靜電能力�
SURS8205T3G 適用于多種電力電子領(lǐng)�,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)或同步整流器�
2. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的�(fù)載切換控��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
4. DC/DC �(zhuǎn)換器及逆變器中的關(guān)鍵功率器��
5. 各類工業(yè)�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)與保�(hù)電路�
6. 充電器、適配器及其他便攜式電子�(shè)備中的功率開(kāi)�(guān)�
SURS8205T3L, STP14NM60E, IRF640N