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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SURS8205T3G

SURS8205T3G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 12:29:07 查看 閱讀�28

SURS8205T3G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)芯片,專為開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適用于多種功率�(zhuǎn)換場(chǎng)�。它廣泛用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載切換等�(lǐng)��
  該型�(hào)屬于 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,通過(guò)�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),實(shí)�(xiàn)了更高效的功率傳輸和更低的能量損��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(V_DS)�60V
  最大柵源電�(V_GS):�20V
  最大漏極電�(I_D)�14A
  �(dǎo)通電�(R_DS(on))�4.5mΩ(在 V_GS=10V �(shí)�
  總功�(P_TOT)�27W
  �(jié)溫范�(T_J)�-55� � +175�
  封裝形式:TO-263-3

特�

SURS8205T3G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� R_DS(on),可顯著降低傳導(dǎo)損耗并提高效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度,有助于減少�(kāi)�(guān)損耗,特別適合高頻�(yīng)��
  3. 高擊穿電壓,確保在高電壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  4. 良好的熱性能,能夠承受較高的�(jié)溫范�,提升系�(tǒng)的可靠性�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
  6. �(nèi)� ESD 保護(hù),增�(qiáng)器件的抗靜電能力�

�(yīng)�

SURS8205T3G 適用于多種電力電子領(lǐng)�,包括但不限于:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)或同步整流器�
  2. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的�(fù)載切換控��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
  4. DC/DC �(zhuǎn)換器及逆變器中的關(guān)鍵功率器��
  5. 各類工業(yè)�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)與保�(hù)電路�
  6. 充電器、適配器及其他便攜式電子�(shè)備中的功率開(kāi)�(guān)�

替代型號(hào)

SURS8205T3L, STP14NM60E, IRF640N

surs8205t3g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

surs8205t3g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭單二極管/整流�
  • 系列-
  • 二極管類��(biāo)�(zhǔn)
  • 電壓 - (Vr)(最大)50V
  • 電流 - 平均整流 (Io)2A
  • 電壓 - � If �(shí)為正� (Vf)(最大)940mV @ 2A
  • 速度快速恢�(fù) = 200mA(Io�
  • 反向恢復(fù)�(shí)�(trr)30ns
  • 電流 - � Vr �(shí)反向漏電2µA @ 50V
  • 電容@ Vr, F-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼DO-214AA,SMB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SMB
  • 包裝帶卷 (TR)