SV0603N200G0A 時(shí)間：2025/3/21 10:36:12 閱讀：54

SV0603N200G0A 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的功率晶體管，專(zhuān)為高效率、高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的 GaN 工藝制造，具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，適合于電源適配器、充電器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及其他高效能電力電子系統(tǒng)。
　　相比傳統(tǒng)的硅基 MOSFET，GaN 器件在高頻和高功率密度應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出明顯優(yōu)勢(shì)，能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并減小體積和重量。

參數(shù)

型號(hào)：SV0603N200G0A
　　類(lèi)型：增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (eGaN FET)
　　最大漏源電壓 (Vds)：200V
　　最大柵極驅(qū)動(dòng)電壓 (Vgs)：+6V/-4V
　　連續(xù)漏極電流 (Id)：8A
　　導(dǎo)通電阻 (Rds(on))：120mΩ
　　總柵極電荷 (Qg)：35nC
　　開(kāi)關(guān)頻率：高達(dá) 5MHz
　　封裝形式：LLP6x5 封裝

特性

1. 高效性能：得益于氮化鎵材料的獨(dú)特屬性，SV0603N200G0A 具有更低的導(dǎo)通電阻和更少的能量損耗，從而實(shí)現(xiàn)了更高的效率。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)能力：該器件支持高達(dá) 5MHz 的開(kāi)關(guān)頻率，非常適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
　　3. 緊湊設(shè)計(jì)：由于其高效的熱管理和高頻工作能力，使用 SV0603N200G0A 可以顯著減少外部無(wú)源元件的數(shù)量和尺寸，從而實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)。
　　4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng)：具備良好的散熱性能，在高溫條件下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 易于驅(qū)動(dòng)：較低的柵極驅(qū)動(dòng)需求簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，降低了整體系統(tǒng)復(fù)雜度。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)
　　2. USB PD 快充模塊
　　3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
　　4. 無(wú)線充電設(shè)備
　　5. LED 驅(qū)動(dòng)器
　　6. 激光雷達(dá) (LiDAR) 系統(tǒng)
　　7. 其他需要高頻、高效率功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景