SVD5N60T是一種N溝道垂直�(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(VMOS�,廣泛應(yīng)用于高頻�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器等�(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,從而提高了效率并減少了能量損��
這種MOSFET的設(shè)�(jì)使其能夠在高電壓條件下穩(wěn)定工作,并且具備良好的熱特性和可靠�,適用于需要高性能功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�5A
柵極-源極電壓:�20V
�(dǎo)通電阻:3.8Ω
總功耗:14W
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
SVD5N60T的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 高耐壓能力,支持高�(dá)600V的漏源電�,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用�
2. 較低的導(dǎo)通電�,在典型條件下為3.8Ω,有助于減少傳導(dǎo)損��
3. 快速開(kāi)�(guān)性能,能夠有效降低開(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量損��
4. 良好的熱�(wěn)定性,即使在極端溫度范圍內(nèi)也能保持�(wěn)定的工作狀�(tài)�
5. 采用TO-220封裝形式,便于安裝與散熱管理�
SVD5N60T可廣泛應(yīng)用于各種電子�(shè)備中,主要包括以下幾�(gè)�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì),提供高效可靠的功率�(zhuǎn)換�
2. 電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)電路,用于調(diào)節(jié)和控制電�(jī)的速度及方��
3. 逆變器系�(tǒng),將直流電轉(zhuǎn)化為交流電以供家用電器或其他�(shè)備使用�
4. 各類(lèi)工業(yè)自動(dòng)化控制系�(tǒng),如PLC模塊�,用作功率開(kāi)�(guān)元件�
5. 其他需要高電壓大電流處理能力的�(chǎng)合�
SVP5N60T, IRF540N