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SVF4N65DTR 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/8 14:24:28 查看 閱讀：26

SVF4N65DTR是STMicroelectronics（意法半導(dǎo)體）生產(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用TO-220封裝形式，具有較高的電壓耐受能力，適用于多種功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用。由于其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，這款MOSFET在電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)以及其他高壓電子系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異。
　　該型號(hào)的MOSFET廣泛用于工業(yè)控制、消費(fèi)電子、汽車電子等領(lǐng)域，能夠滿足高效能和高可靠性的需求。

參數(shù)

最大漏源電壓：650V
　　連續(xù)漏極電流：4A
　　柵極閾值電壓：4V
　　導(dǎo)通電阻（典型值，在Vgs=10V時(shí)）：8.5Ω
　　總功耗：130W
　　工作溫度范圍：-55℃ to +150℃

特性

SVF4N65DTR是一款高性能的MOSFET，主要特性包括以下幾點(diǎn)：
　　1. 高擊穿電壓：該器件可承受高達(dá)650V的最大漏源電壓，使其適合應(yīng)用于高電壓環(huán)境。
　　2. 低導(dǎo)通電阻：在Vgs=10V時(shí)，導(dǎo)通電阻僅為8.5Ω，這有助于降低導(dǎo)通損耗并提高效率。
　　3. 快速開關(guān)速度：其快速的開關(guān)性能減少了開關(guān)損耗，并支持高頻操作。
　　4. 小型封裝：采用TO-220封裝，便于安裝和散熱。
　　5. 寬工作溫度范圍：能夠在-55℃到+150℃的范圍內(nèi)正常工作，適應(yīng)各種極端環(huán)境條件。
　　6. 可靠性高：經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量檢測(cè)，確保在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行中的穩(wěn)定性。

應(yīng)用

SVF4N65DTR適用于廣泛的電力電子應(yīng)用領(lǐng)域，具體包括：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）：作為主開關(guān)管，用于AC/DC轉(zhuǎn)換器或DC/DC變換器。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：用于控制直流無(wú)刷電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)的速度和方向。
　　3. 負(fù)載開關(guān)：在需要快速響應(yīng)和低功耗的應(yīng)用中，例如筆記本電腦適配器。
　　4. 汽車電子：如車載充電器、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)等。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化：用作固態(tài)繼電器或驅(qū)動(dòng)大功率設(shè)備的開關(guān)元件。
　　6. 照明系統(tǒng)：用于LED驅(qū)動(dòng)器和其他照明控制系統(tǒng)。

替代型號(hào)

IRF840, STP4NB60Z

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