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時(shí)間：2025/5/15 12:50:29
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SVF4N65T是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管），廣泛應(yīng)用于高電壓和大電流的開關(guān)電路中。該器件采用TO-220封裝，具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開關(guān)速度等特點(diǎn)，適合用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器以及各種工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域。
該MOSFET的主要特點(diǎn)是其耐壓能力高達(dá)650V，能夠在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作，并且具備良好的熱特性和可靠性。通過優(yōu)化設(shè)計(jì)，這款器件能夠減少系統(tǒng)功耗并提高整體效率。
最大漏源電壓：650V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：4.1A
脈沖漏極電流：16A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：7.5Ω（在Vgs=10V時(shí)）
總功耗：140W
結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃
1. 高擊穿電壓，支持高達(dá)650V的工作環(huán)境，適用于各種高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
2. 低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì)，在典型條件下為7.5Ω，能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗。
3. 快速開關(guān)性能，可有效減少開關(guān)損耗，提高工作效率。
4. 強(qiáng)大的過流能力和出色的散熱特性，使其能夠在嚴(yán)苛的電氣環(huán)境中長期運(yùn)行。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛工藝制造，滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)綠色環(huán)保的要求。
6. TO-220封裝形式便于安裝與使用，同時(shí)提供更好的散熱效果。
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的主開關(guān)管或同步整流管。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器及升壓/降壓電路中的功率開關(guān)。
3. 工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制。
4. 逆變器和不間斷電源（UPS）的核心元件。
5. 各種需要高電壓、大電流開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景，例如電磁閥驅(qū)動(dòng)、負(fù)載切換等。
6. 汽車電子系統(tǒng)中的繼電器替代方案以及電池管理系統(tǒng)（BMS）。
IRF650N, STP4NB65, FQP18N65C
