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SVF4N65T 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/15 12:50:29 查看 閱讀:19

SVF4N65T是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于高電壓和大電流的開關(guān)電路中。該器件采用TO-220封裝,具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開關(guān)速度等特點(diǎn),適合用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器以及各種工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域。
  該MOSFET的主要特點(diǎn)是其耐壓能力高達(dá)650V,能夠在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作,并且具備良好的熱特性和可靠性。通過優(yōu)化設(shè)計(jì),這款器件能夠減少系統(tǒng)功耗并提高整體效率。

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流:4.1A
  脈沖漏極電流:16A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):7.5Ω(在Vgs=10V時(shí))
  總功耗:140W
  結(jié)溫范圍:-55℃至+175℃

特性

1. 高擊穿電壓,支持高達(dá)650V的工作環(huán)境,適用于各種高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
  2. 低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì),在典型條件下為7.5Ω,能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗。
  3. 快速開關(guān)性能,可有效減少開關(guān)損耗,提高工作效率。
  4. 強(qiáng)大的過流能力和出色的散熱特性,使其能夠在嚴(yán)苛的電氣環(huán)境中長期運(yùn)行。
  5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛工藝制造,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)綠色環(huán)保的要求。
  6. TO-220封裝形式便于安裝與使用,同時(shí)提供更好的散熱效果。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器及升壓/降壓電路中的功率開關(guān)。
  3. 工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制。
  4. 逆變器和不間斷電源(UPS)的核心元件。
  5. 各種需要高電壓、大電流開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景,例如電磁閥驅(qū)動(dòng)、負(fù)載切換等。
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的繼電器替代方案以及電池管理系統(tǒng)(BMS)。

替代型號(hào)

IRF650N, STP4NB65, FQP18N65C

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