時間：2025/5/29 0:45:20
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SZMM3Z5V6ST1G是一種表面貼裝的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET），通常用于開關(guān)和保護(hù)電路中。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度，適合在各種消費類電子、通信設(shè)備及工業(yè)控制應(yīng)用中使用。
其封裝形式為SOT-23，這種小型化封裝使其非常適合空間受限的設(shè)計。
最大漏源電壓：30V
最大柵源電壓：±8V
持續(xù)漏極電流：470mA
導(dǎo)通電阻：1.9Ω
功耗：320mW
工作溫度范圍：-55℃至+150℃
1. 超低導(dǎo)通電阻，有助于減少功率損耗并提高效率。
2. 快速開關(guān)能力，能夠適應(yīng)高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 小型SOT-23封裝，節(jié)省PCB板空間。
4. 高靜電防護(hù)能力，增強系統(tǒng)穩(wěn)定性。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛設(shè)計。
1. 移動設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)控制。
2. 電池供電產(chǎn)品的電源管理。
3. 開關(guān)模式電源中的同步整流。
4. 數(shù)據(jù)通信接口的ESD保護(hù)。
5. 消費電子產(chǎn)品中的過流保護(hù)電路。
6. 工業(yè)自動化中的信號切換。
AO3400A
FDMC115AZ
IRLML6401TRPBF
