SZMM5Z3V9T1G 是一款基� NAND �(gòu)架的高性能嵌入式存�(chǔ)芯片,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、物�(lián)�(wǎng)�(shè)備以及工�(yè)自動(dòng)化領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制程工藝,具備高可靠性和低功耗特性,支持多種接口模式以適�(yīng)不同�(yīng)用場(chǎng)景的需��
其主要功能是提供大容量的�(shù)�(jù)存儲(chǔ)解決方案,同�(shí)確保�(shù)�(jù)的完整性和訪問(wèn)速度。該器件適用于需要長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的�(huán)�,并且具有較�(qiáng)的抗干擾能力�
�(chǎn)品系列:NAND Flash
存儲(chǔ)容量�512Gb (64GB)
接口類型� Toggle Mode 2.0 / ONFI 4.0
工作電壓:核心電� 1.8V ± 0.1V,I/O 電壓 1.8V/3.3V
�(shù)�(jù)傳輸速率:最高可�(dá) 400MT/s
擦寫壽命:約 3K 次(典型值)
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式:BGA 169 �
待機(jī)功耗:小于 10uA
SZMM5Z3V9T1G 的一大優(yōu)�(shì)在于其采用了先�(jìn)� 3D NAND 技�(shù),與傳統(tǒng) 2D NAND 相比,能夠在更小的體積內(nèi)�(shí)�(xiàn)更高的存�(chǔ)密度�
此外,該芯片還集成了 ECC(錯(cuò)誤校正碼)引�,可以有效檢�(cè)并修�(fù)�(shù)�(jù)�(cuò)�,從而提升整體可靠性�
在性能方面,支持高速接口協(xié)�,能夠顯著縮短數(shù)�(jù)讀寫延�,滿足現(xiàn)代應(yīng)用對(duì)�(shí)�(shí)性的要求�
該芯片支持塊管理算法,可自動(dòng)�(yōu)化存�(chǔ)空間分配,延�(zhǎng)使用壽命�
最�,它還具有全面的保護(hù)�(jī)�,包括斷電保�(hù)和壞塊管理等功能,適合對(duì)�(wěn)定性有較高需求的�(yīng)用場(chǎng)景�
SZMM5Z3V9T1G 可廣泛應(yīng)用于各類需要高效存�(chǔ)和數(shù)�(jù)處理的設(shè)備中,例如智能手�(jī)、平板電�、固�(tài)硬盤(SSD�、行車記錄儀、監(jiān)�?cái)z像頭、無(wú)人機(jī)以及工業(yè)控制模塊��
由于其出色的耐久性和寬溫特性,該芯片也非常適合用在惡劣�(huán)境下工作的設(shè)�,如戶外廣告�、智能電�(wǎng)終端和車載信息系�(tǒng)��
另外,在人工智能邊緣�(jì)算設(shè)備中,這款芯片也能為模型訓(xùn)練和推理提供可靠的本地存�(chǔ)支持�
SZMM5Z3V8T1G, SZMM5Z3V9T2G