SZMMBZ4252T1G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功��
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型,支持較高的連續(xù)漏極電流,并能在較寬的工作溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)行。其封裝形式� TOLL(TO-263-3�,有助于提高散熱性能,適用于�(duì)功率密度和熱管理有較高要求的�(yīng)用場(chǎng)景�
類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
最大漏源電壓(V_DS):40V
最大柵源電壓(V_GS):±20V
連續(xù)漏極電流(I_D):280A
脈沖漏極電流(I_Dpeak):690A
�(dǎo)通電阻(R_DS(on)):1.2mΩ(典型�,在 V_GS=10V �(shí)�
總柵極電荷(Q_g):265nC
輸入電容(C_iss):5760pF
反向傳輸電容(C_rss):1080pF
輸出電容(C_oss):530pF
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
SZMMBZ4252T1G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可減少�(dǎo)通損�,從而提高整體效��
2. 高電流承載能力,適合大功率應(yīng)��
3. 快速開�(guān)性能,有助于降低開關(guān)損��
4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下保持性能�
5. 封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化了散熱路徑,提高了功率密度�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
這些特點(diǎn)� SZMMBZ4252T1G 成為工業(yè)電源、電�(dòng)汽車和可再生能源等領(lǐng)域的理想選擇�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)和同步整流器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制和�(diào)節(jié)電動(dòng)�(jī)的速度與方��
3. 大功率負(fù)載切換,如電池管理系�(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
4. �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器的電源管理模塊�
5. 新能源汽車的逆變器和 DC/DC �(zhuǎn)換器�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換和�(qū)�(dòng)電路�
SZMMBZ4252T1G 的高效性能和可靠性使其在高功率密度和�(yán)苛環(huán)境的�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
IRB1404GPBF
FDP16N40
STP120NF40
IXFN40N10P
AO4604