T201LTAVRE 是一款由 Toshiba(東芝)生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET。該器件主要用于開關和功率管理應�,能夠提供高效的電流控制和較低的導通電阻特�。其設計適合用于高頻率和高性能的電路中,廣泛應用于消費電子、工�(yè)設備和汽車電子等領域�
T201LTAVRE 的封裝形式為 TO-263 (DPAK),具備良好的散熱性能和耐用�,同時支持表面貼裝技�(shù)(SMT),便于自動化生�(chǎn)�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�15A
柵極-源極電壓(Vgs):±20V
導通電阻(Rds(on)):8.5mΩ(典型值,� Vgs=10V 時)
總功耗:180W
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝類型:TO-263
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于降低功率損耗并提高效率�
2. 快速開關能�,適合高頻應用場景�
3. 高額定電流和電壓,可應對多種復雜負載需��
4. 強大的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下可靠運行�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
6. 表面貼裝封裝,易于集成到緊湊型設計中�
1. 開關電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換模��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器和電壓調(diào)節(jié)電路�
3. 電機�(qū)動和控制電路�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負載開關和保護電��
5. 工業(yè)自動化設備中的功率管理單��
6. 消費類電子產(chǎn)品中的高效電源解決方��
T201GTAVRE, IRF540N, FDP5510