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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > TC58NVG2S3ETAI0

TC58NVG2S3ETAI0 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 15:31:02 查看 閱讀�31

TC58NVG2S3ETAI0是東芝(Toshiba)生�(chǎn)的一款NAND閃存芯片,采用MLC(多層單元)技�(shù)。該芯片主要�(yīng)用于需要大容量存儲的嵌入式系統(tǒng)、消�(fèi)類電子設(shè)備和工業(yè)�(shè)備中。其高可靠性和耐用性使其成為許多數(shù)�(jù)密集型應(yīng)用的理想選擇,例如固�(tài)硬盤(SSD�、USB�(qū)動器、記憶卡以及�(wǎng)�(luò)存儲�(shè)備等�
  該型號支持高速接口和先�(jìn)的錯誤校正功�,能夠有效提升數(shù)�(jù)傳輸速度并確保數(shù)�(jù)完整��

參數(shù)

存儲容量�128Gbit
  存儲類型:MLC NAND Flash
  接口:Toggle Mode 2.0
  工作電壓�1.8V
  封裝形式:BGA
  引腳�(shù)�169
  �(shù)�(jù)傳輸速率:最�200MB/s
  擦寫壽命:約3000�
  工作溫度范圍�-40°C�+85°C
  �(shù)�(jù)保持時間:超�10�

特�

TC58NVG2S3ETAI0具有較高的存儲密度和低功耗特�(diǎn),適用于對存儲性能要求較高的場合�
  1. 使用MLC技�(shù),能夠在每個存儲單元保�2位數(shù)�(jù),提供更高的存儲容量�
  2. 支持Toggle Mode 2.0接口�(xié)�,可�(shí)�(xiàn)更快的數(shù)�(jù)傳輸速度,適合需要高性能的應(yīng)用場��
  3. �(nèi)置ECC(Error Correction Code)引�,增�(qiáng)了數(shù)�(jù)的可靠�,并能自動檢測和修復(fù)�(shù)�(jù)錯誤�
  4. 提供廣泛的溫度范圍選�(xiàng),滿足工�(yè)級和消費(fèi)級應(yīng)用需��
  5. 封裝形式為BGA,有助于減小電路板空間占�,同時提高信號完整性和散熱性能�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 嵌入式存儲解決方�,如汽車電子、工�(yè)控制和醫(yī)療設(shè)��
  2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)�,例如智能手�(jī)、平板電腦和�(shù)碼相�(jī)�
  3. 存儲卡和U盤等便攜式存儲設(shè)備�
  4. 固態(tài)硬盤(SSD�,用于臺式機(jī)、筆記本電腦和其他計(jì)算設(shè)備�
  5. �(wǎng)�(luò)存儲和數(shù)�(jù)中心�(yīng)�,提供高效的�(shù)�(jù)存儲和管理能力�

替代型號

TC58NVG2S3FTAII0, TC58NVG2S3HTAI0

tc58nvg2s3etai0推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

tc58nvg2s3etai0參數(shù)

  • 單元類型NAND
  • 塊組�對稱
  • 字組�(shù)�512M
  • 存儲器大�4Gbit
  • 安裝類型表面貼裝
  • 寬度12.4mm
  • 封裝類型TSOP
  • 尺寸18.4 x 12.4 x 1mm
  • 引腳�(shù)�48
  • 接口類型并行
  • 最低工作溫�-40 °C
  • 最大工作電源電�4.6 V
  • 最小工作電源電�-0.6 V
  • 最長隨�(jī)存取時間25ns
  • 最高工作溫�+85 °C
  • 每字組的位元�(shù)�8bit
  • 組織512M x 8
  • 長度18.4mm
  • 高度1mm