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TC58NVG2S3ETAI0 發(fā)布時間 時間:2025/4/29 15:31:02 查看 閱讀:31

TC58NVG2S3ETAI0是東芝(Toshiba)生產(chǎn)的一款NAND閃存芯片,采用MLC(多層單元)技術(shù)。該芯片主要應(yīng)用于需要大容量存儲的嵌入式系統(tǒng)、消費(fèi)類電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備中。其高可靠性和耐用性使其成為許多數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的理想選擇,例如固態(tài)硬盤(SSD)、USB驅(qū)動器、記憶卡以及網(wǎng)絡(luò)存儲設(shè)備等。
  該型號支持高速接口和先進(jìn)的錯誤校正功能,能夠有效提升數(shù)據(jù)傳輸速度并確保數(shù)據(jù)完整性。

參數(shù)

存儲容量:128Gbit
  存儲類型:MLC NAND Flash
  接口:Toggle Mode 2.0
  工作電壓:1.8V
  封裝形式:BGA
  引腳數(shù):169
  數(shù)據(jù)傳輸速率:最高200MB/s
  擦寫壽命:約3000次
  工作溫度范圍:-40°C至+85°C
  數(shù)據(jù)保持時間:超過10年

特性

TC58NVG2S3ETAI0具有較高的存儲密度和低功耗特點(diǎn),適用于對存儲性能要求較高的場合。
  1. 使用MLC技術(shù),能夠在每個存儲單元保存2位數(shù)據(jù),提供更高的存儲容量。
  2. 支持Toggle Mode 2.0接口協(xié)議,可實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速度,適合需要高性能的應(yīng)用場景。
  3. 內(nèi)置ECC(Error Correction Code)引擎,增強(qiáng)了數(shù)據(jù)的可靠性,并能自動檢測和修復(fù)數(shù)據(jù)錯誤。
  4. 提供廣泛的溫度范圍選項(xiàng),滿足工業(yè)級和消費(fèi)級應(yīng)用需求。
  5. 封裝形式為BGA,有助于減小電路板空間占用,同時提高信號完整性和散熱性能。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 嵌入式存儲解決方案,如汽車電子、工業(yè)控制和醫(yī)療設(shè)備。
  2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品,例如智能手機(jī)、平板電腦和數(shù)碼相機(jī)。
  3. 存儲卡和U盤等便攜式存儲設(shè)備。
  4. 固態(tài)硬盤(SSD),用于臺式機(jī)、筆記本電腦和其他計(jì)算設(shè)備。
  5. 網(wǎng)絡(luò)存儲和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用,提供高效的數(shù)據(jù)存儲和管理能力。

替代型號

TC58NVG2S3FTAII0, TC58NVG2S3HTAI0

tc58nvg2s3etai0推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

tc58nvg2s3etai0參數(shù)

  • 單元類型NAND
  • 塊組織對稱
  • 字組數(shù)目512M
  • 存儲器大小4Gbit
  • 安裝類型表面貼裝
  • 寬度12.4mm
  • 封裝類型TSOP
  • 尺寸18.4 x 12.4 x 1mm
  • 引腳數(shù)目48
  • 接口類型并行
  • 最低工作溫度-40 °C
  • 最大工作電源電壓4.6 V
  • 最小工作電源電壓-0.6 V
  • 最長隨機(jī)存取時間25ns
  • 最高工作溫度+85 °C
  • 每字組的位元數(shù)目8bit
  • 組織512M x 8
  • 長度18.4mm
  • 高度1mm