TC58NVG2S3ETAI0是東芝(Toshiba)生產(chǎn)的一款NAND閃存芯片,采用MLC(多層單元)技術(shù)。該芯片主要應(yīng)用于需要大容量存儲的嵌入式系統(tǒng)、消費(fèi)類電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備中。其高可靠性和耐用性使其成為許多數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的理想選擇,例如固態(tài)硬盤(SSD)、USB驅(qū)動器、記憶卡以及網(wǎng)絡(luò)存儲設(shè)備等。
該型號支持高速接口和先進(jìn)的錯誤校正功能,能夠有效提升數(shù)據(jù)傳輸速度并確保數(shù)據(jù)完整性。
存儲容量:128Gbit
存儲類型:MLC NAND Flash
接口:Toggle Mode 2.0
工作電壓:1.8V
封裝形式:BGA
引腳數(shù):169
數(shù)據(jù)傳輸速率:最高200MB/s
擦寫壽命:約3000次
工作溫度范圍:-40°C至+85°C
數(shù)據(jù)保持時間:超過10年
TC58NVG2S3ETAI0具有較高的存儲密度和低功耗特點(diǎn),適用于對存儲性能要求較高的場合。
1. 使用MLC技術(shù),能夠在每個存儲單元保存2位數(shù)據(jù),提供更高的存儲容量。
2. 支持Toggle Mode 2.0接口協(xié)議,可實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速度,適合需要高性能的應(yīng)用場景。
3. 內(nèi)置ECC(Error Correction Code)引擎,增強(qiáng)了數(shù)據(jù)的可靠性,并能自動檢測和修復(fù)數(shù)據(jù)錯誤。
4. 提供廣泛的溫度范圍選項(xiàng),滿足工業(yè)級和消費(fèi)級應(yīng)用需求。
5. 封裝形式為BGA,有助于減小電路板空間占用,同時提高信號完整性和散熱性能。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 嵌入式存儲解決方案,如汽車電子、工業(yè)控制和醫(yī)療設(shè)備。
2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品,例如智能手機(jī)、平板電腦和數(shù)碼相機(jī)。
3. 存儲卡和U盤等便攜式存儲設(shè)備。
4. 固態(tài)硬盤(SSD),用于臺式機(jī)、筆記本電腦和其他計(jì)算設(shè)備。
5. 網(wǎng)絡(luò)存儲和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用,提供高效的數(shù)據(jù)存儲和管理能力。
TC58NVG2S3FTAII0, TC58NVG2S3HTAI0