TD817B1M-FGV 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,適用于各種�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載切換等�(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,在低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性方面表�(xiàn)出色,能夠有效降低系�(tǒng)能耗并提高效率�
這款 MOSFET 的封裝形式為 DPAK(TO-263�,具有良好的散熱性能,適合高功率密度的設(shè)�(jì)需��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ(典型值)
柵極電荷�50nC(典型值)
輸入電容�2200pF(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
TD817B1M-FGV 具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著減少傳導(dǎo)損�,從而提升整體效��
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻操作,有助于減小磁性元件體��
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒��
4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,優(yōu)化了同步整流電路中的表現(xiàn)�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
6. 采用 TO-263 封裝,便于安裝與散熱�(shè)�(jì)�
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)或同步整流開(kāi)�(guān)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中作為高端或低端�(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)中的 H 橋或半橋配置�
4. 各類�(fù)載切換及保護(hù)電路�
5. 工業(yè)�(shè)備和汽車電子系統(tǒng)的功率管理模��
IRF3710,
STP40NF06,
FDP5500,
IXYS IXTH40N06L