TDF8541TH/N3 是一款由 STMicroelectronics(意法半�(dǎo)體)推出� N 溝道增強型功� MOSFET,采� D2PAK-3 封裝形式。該器件主要�(shè)計用于高效率的開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)以及電機�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)域�
� MOSFET 具有較低的導(dǎo)通電阻和�(yōu)秀的開�(guān)性能,使其成為高效能電力電子�(shè)備的理想選擇。此外,其堅固的�(shè)計能夠承受較高的電壓和電�,確保了在惡劣工作環(huán)境下的可靠性和�(wěn)定��
最大漏源電壓:100V
最大連續(xù)漏極電流�36A
�(dǎo)通電阻(典型�,Vgs=10V):1.7mΩ
柵極電荷(典型值)�95nC
輸入電容(典型值)�1580pF
開關(guān)速度:快�
�(jié)溫范圍:-55� � +175�
TDF8541TH/N3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常情況下的耐受力�
3. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保�
4. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)��
5. 較高的漏源擊穿電� (BVDSS),提供更大的安全裕度�
6. �(wěn)定的工作溫度范圍,適用于各種工業(yè)和汽車環(huán)��
TDF8541TH/N3 廣泛�(yīng)用于以下場景�
1. 開關(guān)電源(SMPS),� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機控制和驅(qū)動電路�
3. 工業(yè)自動化中的負載開�(guān)�
4. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)�
5. 汽車電子�(shè)備中的高功率開關(guān)元件�
6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護和切換功能�
TDF8541N3, IRFB3207, FDP156N10A