時間：2025/5/29 16:12:10
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TESDN122AT23 是一款高性能的 N 溝道增強型 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。該器件采用先進的制造工藝，具有低導通電阻、高開關速度和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性等特點。適用于各種功率轉換和開關應用，如 DC-DC 轉換器、電機驅動、負載開關以及電源管理電路。
其封裝形式通常為 TO-220，便于散熱和安裝，同時支持表面貼裝和通孔安裝兩種方式。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：40A
導通電阻：2.5mΩ
柵極電荷：75nC
開關時間：ton=9ns, toff=18ns
工作結溫范圍：-55℃ 至 +175℃
1. 極低的導通電阻 (Rds(on))，有助于降低功耗并提高效率。
2. 快速的開關特性，能夠滿足高頻應用的需求。
3. 高雪崩能力，增強了器件在異常條件下的魯棒性。
4. 具備出色的熱性能，可有效防止過熱導致的失效。
5. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且適合現(xiàn)代工業(yè)設計要求。
6. 提供多種保護功能選項，例如過流保護和短路保護。
TESDN122AT23 廣泛應用于各類需要高效功率轉換和控制的場景，包括但不限于以下領域：
1. 開關電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉換器中的主開關元件。
2. 工業(yè)自動化設備中的電機驅動電路。
3. 新能源系統(tǒng)中逆變器的核心功率器件。
4. 汽車電子中的負載切換與保護模塊。
5. 家用電器及消費類電子產(chǎn)品中的電源管理系統(tǒng)。
6. LED 照明驅動器以實現(xiàn)精確電流控制。
IRFZ44N, FDP55N06L, STP40NF06L
