時間：2025/4/28 9:26:17
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TF010N04NG 是一款 N 溝道增強型功率場效應晶體管（MOSFET），廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)動、逆變器等電力電子設備中。該器件采用先進的半導體制造工藝，具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱性能，能夠滿足高效能電力轉(zhuǎn)換的需求。
該型號屬于溝槽式 MOSFET 結(jié)構(gòu)，優(yōu)化了其在高頻開關應用中的表現(xiàn)，同時具備較低的柵極電荷和輸出電容，有助于降低開關損耗并提升系統(tǒng)效率。
最大漏源電壓：40V
連續(xù)漏極電流：12A
導通電阻：1.5mΩ
柵源開啟電壓：2V~4V
總柵極電荷：38nC
輸出電容：1350pF
工作結(jié)溫范圍：-55℃~175℃
1. 極低的導通電阻（Rds(on)）使其非常適合高效率的應用場景。
2. 高頻開關能力得益于較小的柵極電荷和輸出電容。
3. 良好的熱穩(wěn)定性確保器件能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)可靠運行。
4. 緊湊的封裝形式（如 TO-220 或 DPAK）便于電路設計與散熱管理。
5. 內(nèi)置 ESD 保護功能提高了產(chǎn)品的抗干擾能力。
6. 符合 RoHS 標準，環(huán)保無鉛材料設計。
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