TF010N04NG 是一款 N 溝道增強型功率場效應晶體管(MOSFET),廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)動、逆變器等電力電子設備中。該器件采用先進的半導體制造工藝,具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱性能,能夠滿足高效能電力轉(zhuǎn)換的需求。
該型號屬于溝槽式 MOSFET 結(jié)構(gòu),優(yōu)化了其在高頻開關應用中的表現(xiàn),同時具備較低的柵極電荷和輸出電容,有助于降低開關損耗并提升系統(tǒng)效率。
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流:12A
導通電阻:1.5mΩ
柵源開啟電壓:2V~4V
總柵極電荷:38nC
輸出電容:1350pF
工作結(jié)溫范圍:-55℃~175℃
1. 極低的導通電阻(Rds(on))使其非常適合高效率的應用場景。
2. 高頻開關能力得益于較小的柵極電荷和輸出電容。
3. 良好的熱穩(wěn)定性確保器件能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)可靠運行。
4. 緊湊的封裝形式(如 TO-220 或 DPAK)便于電路設計與散熱管理。
5. 內(nèi)置 ESD 保護功能提高了產(chǎn)品的抗干擾能力。
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛材料設計。
1. 開關電源(SMPS)
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
3. 電機驅(qū)動與控制
4. 太陽能逆變器
5. 工業(yè)自動化設備
6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
7. LED 驅(qū)動器
8. 電動車及電動工具的功率模塊
IRFZ44N
STP12NM50
FDP159N
IXTH12N50P