TF020N025NGC 是一� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用 TO-220 封裝形式,廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)動、負載切換等場景。其高擊穿電壓和低導通電阻使其成為功率轉(zhuǎn)換電路中的理想選擇�
該器件的設計目標是提供高效率的功率管理解決方�,并且具備良好的熱特性和電氣特性�
最大漏源電壓:250V
連續(xù)漏極電流�20A
柵極閾值電壓:2V~4V
導通電阻:1.2Ω(典型�,在 Vgs=10V 時)
總功耗:150W
工作�(jié)溫范圍:-55℃~175�
TF020N025NGC 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓(250V�,適用于高壓應用�(huán)境�
2. 極低的導通電阻(1.2Ω 典型值),能夠有效降低功率損耗�
3. 較寬的工作溫度范圍(-55℃~175℃),適合惡劣環(huán)境下的運��
4. 快速開關能�,支持高頻操�,減少能量損��
5. 柵極電荷�,驅(qū)動簡單且高效�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設��
這些特性共同保證了該器件在各種工業(yè)和消費電子領域的可靠表現(xiàn)�
TF020N025NGC 可以用于以下領域�
1. 開關電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的功率級控��
3. 各類電機�(qū)動電路,例如步進電機或直流電機�
4. 電池保護和負載切換開��
5. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的負載控制和電源管��
由于其出色的電氣性能和封裝可靠�,該器件能夠在多種復雜環(huán)境中�(wěn)定工��
IRFZ44N, FQP50N06L, BUZ11