TF030N03M 是一種 N 溝道功率 MOSFET,主要用于需要高效開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場(chǎng)合。該器件采用 TO-252 封裝形式,適用于多種電力電子設(shè)備,包括但不限于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等。其優(yōu)異的電氣特性和散熱性能使得它成為工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用的理想選擇。
該功率 MOSFET 的設(shè)計(jì)目標(biāo)是提供高效率和可靠的解決方案,通過(guò)降低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗來(lái)提高整體系統(tǒng)效率。
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:36A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.8mΩ(典型值,Vgs=10V時(shí))
柵極電荷:19nC(典型值)
反向恢復(fù)時(shí)間:47ns(典型值)
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),可以有效減少導(dǎo)通損耗,從而提升系統(tǒng)的整體效率。
2. 高速開(kāi)關(guān)性能,具有較小的柵極電荷和反向恢復(fù)時(shí)間,適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
3. 采用 TO-252 封裝,具備良好的散熱性能和緊湊的設(shè)計(jì),能夠適應(yīng)空間受限的應(yīng)用環(huán)境。
4. 較寬的工作溫度范圍,能夠在惡劣環(huán)境下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足現(xiàn)代工業(yè)要求。
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率開(kāi)關(guān)。
3. 電池保護(hù)及負(fù)載開(kāi)關(guān)。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
5. LED 照明驅(qū)動(dòng)中的高效功率管理。
6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快速充電適配器設(shè)計(jì)。
IRFZ44N
STP36NF06L
FDP5500
IXTP12N10P