TF030P02N是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),主要用于開關和功率管理應用。該器件采用先進的制造工�,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,適用于多種電力電子設備中,例如適配�、充電器以及DC-DC轉換器等。此外,TF030P02N還具備出色的熱性能和可靠�,確保在高負載條件下�(wěn)定運��
TF030P02N以其高效能和緊湊封裝設計而聞名,為工程師提供了靈活的設計選擇,同時降低了整體系統(tǒng)的能��
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�2.4A
導通電阻:65mΩ
總功耗:1.1W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝形式:SOT-23
1. 低導通電阻(Rds(on))能夠有效減少功率損�,提高效��
2. 快速開關特性使得該器件非常適合高頻應用�(huán)��
3. 小型化封裝有助于節(jié)省PCB空間,并簡化系統(tǒng)布局設計�
4. 高雪崩能量能力增強了�(chǎn)品的耐用性和抗干擾性能�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全可靠�
6. 工作溫度范圍寬廣,適應惡劣的工作條件�
1. 開關電源中的同步整流電路�
2. DC-DC轉換器及降壓升壓模塊�
3. 消費類電子產(chǎn)品如手機和平板電腦的充電管理電路�
4. LED驅動器及背光調節(jié)電路�
5. 電機驅動和保護電��
6. 各種便攜式設備中的電池管理系�(tǒng)(BMS)�