TF050N03M是一款由泰科天潤半導體生�(chǎn)的碳化硅(SiC) MOSFET功率器件。該芯片采用先進的SiC材料制�,具備出色的開關(guān)特性和耐高溫性能,廣泛應用于高頻、高效能的電力電子設(shè)備中,如新能源汽車充電樁、光伏逆變器和工業(yè)電源�。其封裝形式通常為TO-247或TO-263,適合表面貼裝或插件安裝�
電壓等級�650V
連續(xù)漏極電流�50A
導通電阻:3mΩ
柵極閾值電壓:3V~6V
開關(guān)頻率:最高可�1MHz
工作溫度范圍�-55℃~+175�
封裝形式:TO-247, TO-263
TF050N03M的主要特性包括高效率、低開關(guān)損耗和良好的熱�(wěn)定�。由于使用了碳化硅材料,這款MOSFET具有更低的導通電阻和更高的開�(guān)速度,能夠顯著減少能量損耗并提高系統(tǒng)的整體效率�
此外,它還具有較高的雪崩耐量和短路耐受能力,能夠在惡劣的工作環(huán)境下保持�(wěn)定運�。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比,TF050N03M在高頻應用中的表�(xiàn)更為�(yōu)�,同時支持更緊湊的設(shè)計方��
TF050N03M適用于多種高功率密度場景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 新能源汽車充電樁
2. 光伏逆變�
3. 工業(yè)電機�(qū)�
4. 不間斷電�(UPS)
5. 服務器電�
6. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器
這些應用得益于其高效的電能轉(zhuǎn)換能力和�(wěn)定的運行性能�
C2M0065065D, SCT20N65, FCP150N06L