TF050N03NG是一款N溝道MOSFET功率晶體�,采用TO-263封裝形式。該器件主要�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特�。其耐壓�30V,適用于低壓大電流的�(yīng)用場(chǎng)��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�58A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�97nC
�(kāi)�(guān)速度:快�
功耗:125W
工作溫度范圍�-55℃至150�
TF050N03NG具有非常低的�(dǎo)通電�,能夠有效降低傳�(dǎo)損�,從而提升整體系�(tǒng)的效�。此�,該器件具備較高的雪崩擊穿能力,能夠在異常條件下提供額外保護(hù)。其�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì)也確保了更快的開(kāi)�(guān)速度,減少了�(kāi)�(guān)損��
由于采用了先�(jìn)的制造工�,該MOSFET還擁有出色的熱穩(wěn)定性和可靠�,在高溫�(huán)境下依然能保持良好的性能表現(xiàn)�
此外,TO-263封裝具有較低的熱�,有助于提高散熱效率,適合功率密度要求較高的�(yīng)��
該芯片廣泛用于開(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流電路、DC-DC�(zhuǎn)換器的功率級(jí)控制、電池管理系�(tǒng)(BMS)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)以及各類電機(jī)�(qū)�(dòng)�(chǎng)�。同�(shí),它也非常適合工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的高效能轉(zhuǎn)換電��
IRFZ44N, FDP5580, STP55NF03L