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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > TF050N03NG

TF050N03NG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/26 21:38:07 查看 閱讀�18

TF050N03NG是一款N溝道MOSFET功率晶體�,采用TO-263封裝形式。該器件主要�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特�。其耐壓�30V,適用于低壓大電流的�(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�58A
  �(dǎo)通電阻:1.2mΩ
  柵極電荷�97nC
  �(kāi)�(guān)速度:快�
  功耗:125W
  工作溫度范圍�-55℃至150�

特�

TF050N03NG具有非常低的�(dǎo)通電�,能夠有效降低傳�(dǎo)損�,從而提升整體系�(tǒng)的效�。此�,該器件具備較高的雪崩擊穿能力,能夠在異常條件下提供額外保護(hù)。其�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì)也確保了更快的開(kāi)�(guān)速度,減少了�(kāi)�(guān)損��
  由于采用了先�(jìn)的制造工�,該MOSFET還擁有出色的熱穩(wěn)定性和可靠�,在高溫�(huán)境下依然能保持良好的性能表現(xiàn)�
  此外,TO-263封裝具有較低的熱�,有助于提高散熱效率,適合功率密度要求較高的�(yīng)��

�(yīng)�

該芯片廣泛用于開(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流電路、DC-DC�(zhuǎn)換器的功率級(jí)控制、電池管理系�(tǒng)(BMS)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)以及各類電機(jī)�(qū)�(dòng)�(chǎng)�。同�(shí),它也非常適合工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的高效能轉(zhuǎn)換電��

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP5580, STP55NF03L

tf050n03ng推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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  • 詢價(jià)