TF050N03NG是一款N溝道MOSFET功率晶體管,采用TO-263封裝形式。該器件主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特性。其耐壓為30V,適用于低壓大電流的應(yīng)用場(chǎng)合。
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流:58A
導(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷:97nC
開(kāi)關(guān)速度:快速
功耗:125W
工作溫度范圍:-55℃至150℃
TF050N03NG具有非常低的導(dǎo)通電阻,能夠有效降低傳導(dǎo)損耗,從而提升整體系統(tǒng)的效率。此外,該器件具備較高的雪崩擊穿能力,能夠在異常條件下提供額外保護(hù)。其優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì)也確保了更快的開(kāi)關(guān)速度,減少了開(kāi)關(guān)損耗。
由于采用了先進(jìn)的制造工藝,該MOSFET還擁有出色的熱穩(wěn)定性和可靠性,在高溫環(huán)境下依然能保持良好的性能表現(xiàn)。
此外,TO-263封裝具有較低的熱阻,有助于提高散熱效率,適合功率密度要求較高的應(yīng)用。
該芯片廣泛用于開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流電路、DC-DC轉(zhuǎn)換器的功率級(jí)控制、電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)以及各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景。同時(shí),它也非常適合工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的高效能轉(zhuǎn)換電路。
IRFZ44N, FDP5580, STP55NF03L