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TF050N03NG 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/26 21:38:07 查看 閱讀：18

TF050N03NG是一款N溝道MOSFET功率晶體管，采用TO-263封裝形式。該器件主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特性。其耐壓為30V，適用于低壓大電流的應(yīng)用場(chǎng)合。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：58A
　　導(dǎo)通電阻：1.2mΩ
　　柵極電荷：97nC
　　開(kāi)關(guān)速度：快速
　　功耗：125W
　　工作溫度范圍：-55℃至150℃

特性

TF050N03NG具有非常低的導(dǎo)通電阻，能夠有效降低傳導(dǎo)損耗，從而提升整體系統(tǒng)的效率。此外，該器件具備較高的雪崩擊穿能力，能夠在異常條件下提供額外保護(hù)。其優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì)也確保了更快的開(kāi)關(guān)速度，減少了開(kāi)關(guān)損耗。
　　由于采用了先進(jìn)的制造工藝，該MOSFET還擁有出色的熱穩(wěn)定性和可靠性，在高溫環(huán)境下依然能保持良好的性能表現(xiàn)。
　　此外，TO-263封裝具有較低的熱阻，有助于提高散熱效率，適合功率密度要求較高的應(yīng)用。

應(yīng)用

該芯片廣泛用于開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流電路、DC-DC轉(zhuǎn)換器的功率級(jí)控制、電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)以及各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景。同時(shí)，它也非常適合工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的高效能轉(zhuǎn)換電路。

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP5580, STP55NF03L

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