TF060N10NG是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),由Transphorm公司生產(chǎn)。該器件采用TO-247封裝形式,具有高頻、高效和高功率密度的特點,適用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及其他需要快速開�(guān)和低損耗的�(yīng)用場景�
這款氮化鎵晶體管采用了增強型�(shè)計(e-mode�,確保其在默認狀�(tài)下處于關(guān)閉模式,從而提升了系統(tǒng)運行的安全性和可靠�。此�,它還支持高�100V的工作電�,并具備極低的導通電�,使其在高頻工作條件下仍然保持較高的效率�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�6A
導通電阻:160mΩ
柵極閾值電壓:2.8V~5.6V
輸入電容�1590pF
反向傳輸電容�330pF
開關(guān)速度:納秒級
�(jié)溫范圍:-55℃~+150�
TF060N10NG的主要特點是其卓越的高頻性能和高能效。相比傳�(tǒng)的硅基MOSFET,該器件的開�(guān)頻率可提高數(shù)�,同時降低了開關(guān)損耗和導通損�。其氮化鎵技�(shù)帶來的低寄生電感和優(yōu)異的熱性能,使得在高功率密度應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
此外,該器件的增強型�(shè)計保證了其在電路中的安全�,無需額外的偏置電路即可實�(xiàn)正常工作。同�,其TO-247封裝形式提供了良好的散熱性能,便于用戶集成到各種功率電子系統(tǒng)��
TF060N10NG廣泛�(yīng)用于高頻開關(guān)電源、服�(wù)器電�、通信電源、光伏逆變�、電機驅(qū)動器以及各類工業(yè)自動化設(shè)備中。其高效的開�(guān)特性和低損耗使其成為現(xiàn)代電力電子系�(tǒng)的理想選擇�
尤其是在�(shù)�(jù)中心和電信基�(chǔ)�(shè)施領(lǐng)�,該器件能夠顯著提升電源�(zhuǎn)換效�,降低能源消�。同�,在新能源汽車充電樁和太陽能�(fā)電系�(tǒng)�,其高功率密度和可靠性能也得到了充分驗證�
TP65H032WSG
GAN063-650WS8
GXT6502N10L