TF120P06N是一種高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)元器�,專為高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于各類電源管理�(chǎng)�。它通常被用于DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用中,能夠提供高效率和良好的熱性能�
TF120P06N屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其封裝形式為PDFN5*6-8L,適合表面貼裝技�(shù)(SMT�,具備較小的體積和較高的散熱性能�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�120A
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.7mΩ
柵極電荷�23nC
總電容(輸入電容):1350pF
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:PDFN5*6-8L
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損�,提高整體效��
2. 快速開�(guān)能力,使得該器件能夠在高頻條件下保持高效性能�
3. 高額定電流支持大功率�(yīng)�,適用于需要處理高電流的場(chǎng)��
4. 先�(jìn)的封裝技�(shù)確保了良好的散熱性能,提升了器件在高溫環(huán)境下的可靠性�
5. 寬泛的工作溫度范圍使其能夠在各種惡劣�(huán)境中�(wěn)定運(yùn)��
6. 小巧的封裝形式節(jié)省了PCB空間,便于現(xiàn)代緊湊型�(shè)�(jì)的需��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
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IPW120R069C7, FDP177AN