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TF120P06N 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/10 9:16:12 查看 閱讀：28

TF120P06N是一種高性能的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）元器件，專為高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于各類電源管理場(chǎng)景。它通常被用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中，能夠提供高效率和良好的熱性能。
　　TF120P06N屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET，其封裝形式為PDFN5*6-8L，適合表面貼裝技術(shù)（SMT），具備較小的體積和較高的散熱性能。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：120A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：0.7mΩ
　　柵極電荷：23nC
　　總電容（輸入電容）：1350pF
　　工作溫度范圍：-55℃至+175℃
　　封裝形式：PDFN5*6-8L

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于減少傳導(dǎo)損耗，提高整體效率。
　　2. 快速開關(guān)能力，使得該器件能夠在高頻條件下保持高效性能。
　　3. 高額定電流支持大功率應(yīng)用，適用于需要處理高電流的場(chǎng)景。
　　4. 先進(jìn)的封裝技術(shù)確保了良好的散熱性能，提升了器件在高溫環(huán)境下的可靠性。
　　5. 寬泛的工作溫度范圍使其能夠在各種惡劣環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行。
　　6. 小巧的封裝形式節(jié)省了PCB空間，便于現(xiàn)代緊湊型設(shè)計(jì)的需求。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源（SMPS）中的功率開關(guān)。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流。
　　3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。
　　4. 負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路中的功率開關(guān)元件。
　　5. 新能源領(lǐng)域如太陽能逆變器和電動(dòng)車充電系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。

替代型號(hào)

IPW120R069C7, FDP177AN

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