TF200N03是一種N溝道增強型功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),主要用于開關和功率管理應用。該器件具有低導通電阻和高電流處理能�,適合于需要高效能和可靠性的電路設計�
TF200N03采用TO-220封裝形式,便于散熱管理和安裝。其廣泛應用于開關電源、電機驅�、逆變器以及負載切換等場景�
最大漏源電壓:30V
最大漏極電流:200A
導通電阻(典型值)�1.5mΩ
柵極電荷�40nC
工作結溫范圍�-55℃至+175�
熱阻(結到殼):0.2°C/W
1. 高電流承載能�,峰值電流可�200A,適用于大功率應用場��
2. 極低的導通電阻,僅為1.5mΩ,有助于減少導通損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開關速度,柵極電荷較低,能夠支持高頻操作�
4. 具備強大的雪崩能量承受能�,增強了在異常情況下的可靠��
5. 工作溫度范圍寬廣,適應極端環(huán)境需��
6. TO-220封裝形式提供了良好的散熱性能,簡化了散熱設計�
1. 開關電源(SMPS)中的主開關或同步整流元件�
2. 直流電機驅動及控制電路中的功率級開關�
3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率轉換模��
4. 負載切換和保護電路中作為電子開關使用�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率管理單��
6. 各種高壓大電流場合的功率控制應用�
IRF2807
STP200N3LLH5
FDP200N03A