TF350P04K是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用TO-263封裝形式。該芯片適用于高頻開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。其�(shè)�(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻和高效率性能,從而減少功耗并提升整體系統(tǒng)效能�
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器件,具有快速開(kāi)�(guān)特性和良好的熱�(wěn)定�,適合用于需要高效能量轉(zhuǎn)換和緊湊�(shè)�(jì)的場(chǎng)景�
型號(hào):TF350P04K
�(lèi)型:N溝道功率MOSFET
Vds(漏源極電壓):40V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�3.5mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):50A
Vgs(th)(柵極開(kāi)啟電壓)�2V~4V
fmax(最大工作頻率)�5MHz
封裝形式:TO-263
工作溫度范圍�-55℃~175�
TF350P04K具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效降低導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)的效率�
2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,支持高�(dá)5MHz的工作頻�,適用于高頻�(yīng)用場(chǎng)景�
3. 高電流承載能力(50A�,確保在大功率負(fù)載下的穩(wěn)定運(yùn)行�
4. 良好的熱�(wěn)定�,可承受極端溫度�(huán)境,�-55℃到175℃均能正常工��
5. 采用�(biāo)�(zhǔn)TO-263封裝,便于焊接和安裝,兼容性強(qiáng)�
6. 柵極電荷�,有助于減少�(qū)�(dòng)損耗,�(yōu)化整體性能�
這些特性使得TF350P04K成為工業(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)電子�(shè)備中理想的功率管理解決方��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率輸出�(jí)�
4. 電池保護(hù)電路中的�(fù)載開(kāi)�(guān)�
5. 照明系統(tǒng)中的LED�(qū)�(dòng)��
6. 各類(lèi)便攜式設(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換模塊�
由于其優(yōu)異的性能和可靠�,TF350P04K特別適合�(duì)效率和散熱有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)合�
IRF3710,
STP50NF06,
FDP5530