TF350P04K是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用TO-263封裝形式。該芯片適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。其設(shè)計(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻和高效率性能,從而減少功耗并提升整體系統(tǒng)效能。
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器件,具有快速開(kāi)關(guān)特性和良好的熱穩(wěn)定性,適合用于需要高效能量轉(zhuǎn)換和緊湊設(shè)計(jì)的場(chǎng)景。
型號(hào):TF350P04K
類(lèi)型:N溝道功率MOSFET
Vds(漏源極電壓):40V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻,典型值):3.5mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):50A
Vgs(th)(柵極開(kāi)啟電壓):2V~4V
fmax(最大工作頻率):5MHz
封裝形式:TO-263
工作溫度范圍:-55℃~175℃
TF350P04K具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠有效降低導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)的效率。
2. 快速的開(kāi)關(guān)速度,支持高達(dá)5MHz的工作頻率,適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
3. 高電流承載能力(50A),確保在大功率負(fù)載下的穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 良好的熱穩(wěn)定性,可承受極端溫度環(huán)境,從-55℃到175℃均能正常工作。
5. 采用標(biāo)準(zhǔn)TO-263封裝,便于焊接和安裝,兼容性強(qiáng)。
6. 柵極電荷低,有助于減少驅(qū)動(dòng)損耗,優(yōu)化整體性能。
這些特性使得TF350P04K成為工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)電子設(shè)備中理想的功率管理解決方案。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)元件。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率輸出級(jí)。
4. 電池保護(hù)電路中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
5. 照明系統(tǒng)中的LED驅(qū)動(dòng)器。
6. 各類(lèi)便攜式設(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換模塊。
由于其優(yōu)異的性能和可靠性,TF350P04K特別適合對(duì)效率和散熱有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)合。
IRF3710,
STP50NF06,
FDP5530