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TFD085N03M 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/23 2:16:41 查看 閱讀�16

TFD085N03M是一款基于溝槽型MOSFET技�(shù)的N通道功率�(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,非常適合用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等應(yīng)�。其封裝形式為TO-263(DPAK),能夠提供出色的散熱性能和電氣特��
  這款MOSFET的工作電壓范圍較�,額定漏源極電壓�30V,使其能夠在多種中低壓應(yīng)用場(chǎng)景下�(wěn)定工�。同�(shí),它還具備較低的柵極電荷和輸出電容,有助于提高系�(tǒng)的整體效��

參數(shù)

型號(hào):TFD085N03M
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�30V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�85A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.7mΩ(典型值,Vgs=10V)
  總柵極電�(Qg)�47nC
  輸入電容(Ciss)�1900pF
  輸出電容(Coss)�27pF
  反向傳輸電容(Crss)�12pF
  �(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�

特�

TFD085N03M的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻和�(yōu)化的開關(guān)性能。該器件采用先�(jìn)的制造工�,確保了在大電流條件下的高效�(yùn)行�
  1. 低導(dǎo)通電阻:Rds(on)僅為1.7mΩ,可以顯著降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 高電流能力:支持高達(dá)85A的連續(xù)漏極電流,滿足高功率�(yīng)用需��
  3. 快速開�(guān)特性:低柵極電荷和輸出電容使得開關(guān)速度�,適合高頻操��
  4. 耐熱增強(qiáng)型封裝:TO-263封裝提供了良好的散熱性能,可有效延長器件壽命�
  5. 寬工作溫度范圍:�-55℃到+175℃的�(jié)溫范圍使其適用于各種惡劣�(huán)��

�(yīng)�

TFD085N03M適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
  4. �(fù)載開�(guān)
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  7. 汽車電子中的電源管理模塊
  由于其高電流承載能力和快速開�(guān)性能,這款MOSFET特別適合需要高效能量轉(zhuǎn)換和精確控制的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP85NF06L
  FDP160N10SBD

tfd085n03m推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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