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時(shí)間：2025/5/23 2:16:41
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TFD085N03M是一款基于溝槽型MOSFET技術(shù)的N通道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度，非常適合用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。其封裝形式為TO-263（DPAK），能夠提供出色的散熱性能和電氣特性。
這款MOSFET的工作電壓范圍較寬，額定漏源極電壓為30V，使其能夠在多種中低壓應(yīng)用場(chǎng)景下穩(wěn)定工作。同時(shí)，它還具備較低的柵極電荷和輸出電容，有助于提高系統(tǒng)的整體效率。
型號(hào)：TFD085N03M
類型：N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds)：30V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
連續(xù)漏極電流(Id)：85A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：1.7mΩ(典型值，Vgs=10V)
總柵極電荷(Qg)：47nC
輸入電容(Ciss)：1900pF
輸出電容(Coss)：27pF
反向傳輸電容(Crss)：12pF
結(jié)溫范圍(Tj)：-55℃至+175℃
TFD085N03M的主要特點(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)化的開關(guān)性能。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，確保了在大電流條件下的高效運(yùn)行。
1. 低導(dǎo)通電阻：Rds(on)僅為1.7mΩ，可以顯著降低傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 高電流能力：支持高達(dá)85A的連續(xù)漏極電流，滿足高功率應(yīng)用需求。
3. 快速開關(guān)特性：低柵極電荷和輸出電容使得開關(guān)速度快，適合高頻操作。
4. 耐熱增強(qiáng)型封裝：TO-263封裝提供了良好的散熱性能，可有效延長器件壽命。
5. 寬工作溫度范圍：從-55℃到+175℃的結(jié)溫范圍使其適用于各種惡劣環(huán)境。
TFD085N03M適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
4. 負(fù)載開關(guān)
5. 電池管理系統(tǒng)（BMS）
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
7. 汽車電子中的電源管理模塊
由于其高電流承載能力和快速開關(guān)性能，這款MOSFET特別適合需要高效能量轉(zhuǎn)換和精確控制的應(yīng)用場(chǎng)景。
IRFZ44N
STP85NF06L
FDP160N10SBD
