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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > TFD150N03MG

TFD150N03MG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 16:30:00 查看 閱讀�7

TFD150N03MG 是一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),由 Infineon Technologies 提供。該器件專為高頻開關(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適用于各種功率�(zhuǎn)換場(chǎng)景,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)��
  該芯片采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�,同�(shí)具備高能效和可靠�。由于其�(yōu)異的電氣性能,TFD150N03MG 成為許多工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的首選功率器件�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�150A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�2.6mΩ
  柵極電荷�98nC
  總電容:450pF
  工作溫度范圍�-55� � 175�

特�

TFD150N03MG 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在高電流條件下可顯著降低功��
  2. 快速開�(guān)能力,支持高頻操作,減少開關(guān)損��
  3. 高額定電流(Id)和較低的熱�,確保在大電流應(yīng)用場(chǎng)景下具備良好的散熱性能�
  4. 寬泛的工作溫度范圍,使其適合惡劣�(huán)境下的使用�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
  6. 支持表面貼裝技�(shù)(SMD�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和小型化�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

TFD150N03MG 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�
  4. 工業(yè)逆變�
  5. �(fù)載開�(guān)
  6. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  7. 電動(dòng)車和混合�(dòng)力汽車中的功率轉(zhuǎn)換模�
  8. 可再生能源系�(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)單元

替代型號(hào)

TFD150N03L
  IRFP2907
  STP150N3LL
  FDP157N
  IXFN150N3T

tfd150n03mg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)