TG2201F是一款高性能的N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)專用芯片,主要用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和IGBT等功率器件。該芯片具有高輸入阻抗、快速開關(guān)響應(yīng)和低靜態(tài)功耗等特點(diǎn),適用于多種工業(yè)控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及電源管理應(yīng)用。
其設(shè)計(jì)旨在提供高效的驅(qū)動(dòng)性能,并且具備完善的保護(hù)功能,包括過流保護(hù)、欠壓鎖定(UVLO)和短路保護(hù)等特性,以確保系統(tǒng)在各種工作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。
型號(hào):TG2201F
供電電壓范圍:8V 至 20V
輸出峰值電流:±1.5A
傳播延遲時(shí)間:40ns
輸入電容:3nF
靜態(tài)功耗:10μA
工作溫度范圍:-40℃ 至 +125℃
封裝形式:SOIC-8
具有較高的驅(qū)動(dòng)能力,能夠有效減少功率器件的開關(guān)損耗。它內(nèi)置了死區(qū)時(shí)間控制電路,避免上下橋臂直通問題,同時(shí)優(yōu)化了電磁干擾(EMI)特性。
此外,芯片支持寬電壓輸入范圍,能夠在較惡劣的工作環(huán)境下保持正常運(yùn)行。過流保護(hù)機(jī)制可以在檢測到異常電流時(shí)迅速關(guān)閉輸出,從而保護(hù)驅(qū)動(dòng)級(jí)和負(fù)載電路。
由于采用了先進(jìn)的CMOS工藝,TG2201F擁有較低的靜態(tài)功耗,非常適合電池供電或?qū)δ苄б筝^高的場景。同時(shí),該芯片還提供了可調(diào)的軟啟動(dòng)功能,有助于降低啟動(dòng)沖擊電流,延長系統(tǒng)壽命。
廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC適配器、電機(jī)控制器以及LED驅(qū)動(dòng)器等電力電子設(shè)備中。
在消費(fèi)類電子產(chǎn)品領(lǐng)域,它可以用于筆記本電腦適配器、平板充電器和家用電器的電源管理系統(tǒng)。
工業(yè)控制方面,此芯片常被用作變頻器、伺服驅(qū)動(dòng)器和逆變器的核心驅(qū)動(dòng)組件之一,為這些設(shè)備提供高效、可靠的功率傳輸方案。
IR2110
SI8237BF