TK100S04N1L 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,專為高頻開關應用設�。該器件采用先進的半導體工藝制�,具有較低的導通電阻和快速的開關特�。其封裝形式通常� TO-252(DPAK�,適用于各種電源管理和電機驅動應��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�100A
導通電阻:1.2mΩ(典型�,在 Vgs=10V 時)
柵極電荷�28nC(典型值)
開關時間:開啟時� 9ns,關斷時� 17ns(典型值)
工作結溫范圍�-55°C � +175°C
1. 極低的導通電阻,能夠顯著降低功耗并提高效率�
2. 快速的開關速度,適合高頻開關應��
3. 高雪崩擊穿能量能力,提升了器件的可靠��
4. 具備短路保護功能,可增強系統(tǒng)�(wěn)定性�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)需��
1. 開關電源(SMPS)中的功率開��
2. DC-DC 轉換器及同步整流電路�
3. 電動工具和家用電器中的電機驅��
4. 工業(yè)自動化設備中的負載切換�
5. 太陽能逆變器和電池管理系統(tǒng)中的功率管理模塊�
IRFZ44N, FDP16N40L, STP100N04L