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TK12P60W,RVQ(S 發(fā)布時間 時間:2025/5/7 9:26:19 查看 閱讀:29

TK12P60W,RVQ(S) 是一款基于 MOSFET 技術(shù)的功率晶體管,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)域。該器件采用 RVQ 封裝形式,具有高效率、低導(dǎo)通電阻以及出色的熱性能。

參數(shù)

型號:TK12P60W
  封裝:RVQ(S)
  最大漏源電壓(Vds):60V
  連續(xù)漏極電流(Id):12A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
  柵極電荷(Qg):37nC
  總功耗(Ptot):180W
  工作溫度范圍(Ta):-55℃ to +150℃
  結(jié)溫(Tj):-55℃ to +175℃

特性

這款功率 MOSFET 具備以下顯著特點:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 高速開關(guān)能力,適用于高頻應(yīng)用場合。
  3. 優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計,降低了開關(guān)損耗。
  4. 良好的熱性能,確保在高功率環(huán)境下穩(wěn)定運行。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝。
  6. RVQ(S) 封裝提供優(yōu)異的散熱特性和電氣性能,同時具備較小的體積和重量,適合緊湊型設(shè)計。

應(yīng)用

TK12P60W,RVQ(S) 常見的應(yīng)用場景包括:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS),如適配器、充電器等。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器及降壓/升壓電路。
  3. 電機(jī)驅(qū)動與控制,例如無刷直流電機(jī) (BLDC) 控制器。
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電保護(hù)電路。
  5. 各種工業(yè)自動化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
  6. 汽車電子領(lǐng)域中需要高效功率管理的部分,如啟動馬達(dá)或車載充電裝置。

替代型號

TK12P60W-SPQ(S), IRFZ44N, FDP150AN65

tk12p60w,rvq(s推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

tk12p60w,rvq(s參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列DTMOSIV
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)600 V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)11.5A(Ta)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)340 毫歐 @ 5.8A,10V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)3.7V @ 600μA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)25 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)890 pF @ 300 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)100W(Tc)
  • 工作溫度150°C
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝DPAK
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63