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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > TK2P60D(TE16L1,NQ)

TK2P60D(TE16L1,NQ) 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 20:04:17 查看 閱讀�35

TK2P60D(TE16L1,NQ)是一種高壓功率MOSFET,屬于N溝道增強(qiáng)型器�。它被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等需要高效能和低�(dǎo)通損耗的�(yīng)用場(chǎng)景中。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的擊穿電壓,能夠承受高電壓環(huán)境下的大電流�(fù)�,同�(shí)保持良好的熱性能和可靠��

參數(shù)

型號(hào):TK2P60D
  封裝:TO-220
  最大漏源電�(VDS)�600V
  最大柵源電�(VGS):�20V
  最大連續(xù)漏極電流(ID)�4A
  �(dǎo)通電�(RDS(on))�1.5Ω(典型值,在VGS=10V�(shí)�
  功�(PD)�130W
  工作�(jié)溫范�(TJ)�-55℃至+150�

特�

TK2P60D具有以下主要特性:
  1. 高擊穿電壓設(shè)�(jì),適合在高壓�(huán)境下�(yùn)��
  2. 低導(dǎo)通電阻保證了較小的傳�(dǎo)損�,從而提高系�(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)速度,降低開�(guān)損耗�
  4. 具備�(yōu)異的雪崩能力,提高了器件在異常條件下的耐受��
  5. 封裝形式為標(biāo)�(zhǔn)TO-220,便于安裝和散熱�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
  7. �(nèi)部結(jié)�(gòu)�(yōu)�,確保長(zhǎng)期可靠性和�(wěn)定性�

�(yīng)�

TK2P60D適用于多種工�(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)元件�
  2. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器,如降壓或升壓電路中的主控管�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)及控制電路中的功率級(jí)輸出�
  4. 能量存儲(chǔ)系統(tǒng)中的充放電管理模��
  5. LED照明�(qū)�(dòng)電源中的�(guān)鍵功率元件�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的繼電器替代方案�
  由于其高電壓和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn),非常適合用于高效率、高性能的電力電子應(yīng)��

替代型號(hào)

TK2P60B, IRF840, STP4NK60Z

tk2p60d(te16l1,nq)推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

tk2p60d(te16l1,nq)�(chǎn)�

tk2p60d(te16l1,nq)參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.3 歐姆 @ 1A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4.4V @ 1mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs7nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds280pF @ 25V
  • 功率 - 最�60W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PW-MOLD
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱TK2P60D(TE16L1NQ)TK2P60DTE16L1NQ