TK72E12N1,S1X(S) 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率開關(guān)器件,屬于增�(qiáng)型常�(guān)(E-Mode)晶體管。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝,能夠提供更高的開�(guān)頻率、更低的�(dǎo)通電阻以及更小的封裝尺寸,非常適合用于高頻電源轉(zhuǎn)換和射頻�(yīng)�。其卓越的性能使其在快充適配器、無線充電、LED�(qū)動以及DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
該型號設(shè)�(jì)時充分考慮了系�(tǒng)集成的需�,具有出色的可靠性和熱穩(wěn)定�,同時支持表面貼裝工藝,便于大規(guī)模生�(chǎn)�
類型:增�(qiáng)型常�(guān)氮化鎵場效應(yīng)晶體�
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):120 mΩ
最大漏源電壓(Vds):650 V
最大柵極驅(qū)動電壓(Vgs):6 V
持續(xù)漏極電流(Id):7 A
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
封裝形式:S1X(S)
輸入電容(Ciss):1300 pF
輸出電容(Coss):180 pF
反向恢復(fù)時間(trr):< 30 ns
1. 高效的氮化鎵技�(shù)提供了顯著優(yōu)于傳�(tǒng)硅基MOSFET的開�(guān)性能�
2. 極低的導(dǎo)通電阻有助于降低傳導(dǎo)損�,提升整體能��
3. 小巧的封裝設(shè)�(jì)節(jié)省了PCB空間,同時具備良好的散熱性能�
4. �(nèi)置保�(hù)�(jī)制確保在過流、短路等異常情況下依然保持穩(wěn)定運(yùn)��
5. 支持高達(dá)�(shù)兆赫茲的開關(guān)頻率,適用于高頻�(yīng)用需��
6. 與現(xiàn)有控制IC兼容性強(qiáng),簡化了�(shè)�(jì)流程�
7. 符合RoHS�(huán)保標(biāo)�(zhǔn),滿足全球市場的�(zhǔn)入要��
1. USB-PD快充適配�
2. 無線充電�(fā)射端模塊
3. LED照明�(qū)動電�
4. DC-DC�(zhuǎn)換器及PFC(功率因�(shù)校正�(fèi)電子�(shè)備中的高效電源管�
6. 工業(yè)自動化領(lǐng)域的小型化電源解決方�
7. 高頻逆變器和電池管理系統(tǒng)