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TK72E12N1,S1X(S 發(fā)布時間 時間�2025/5/21 12:31:54 查看 閱讀�18

TK72E12N1,S1X(S) 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率開關(guān)器件,屬于增�(qiáng)型常�(guān)(E-Mode)晶體管。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝,能夠提供更高的開�(guān)頻率、更低的�(dǎo)通電阻以及更小的封裝尺寸,非常適合用于高頻電源轉(zhuǎn)換和射頻�(yīng)�。其卓越的性能使其在快充適配器、無線充電、LED�(qū)動以及DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
  該型號設(shè)�(jì)時充分考慮了系�(tǒng)集成的需�,具有出色的可靠性和熱穩(wěn)定�,同時支持表面貼裝工藝,便于大規(guī)模生�(chǎn)�

參數(shù)

類型:增�(qiáng)型常�(guān)氮化鎵場效應(yīng)晶體�
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):120 mΩ
  最大漏源電壓(Vds):650 V
  最大柵極驅(qū)動電壓(Vgs):6 V
  持續(xù)漏極電流(Id):7 A
  工作溫度范圍�-40°C � +125°C
  封裝形式:S1X(S)
  輸入電容(Ciss):1300 pF
  輸出電容(Coss):180 pF
  反向恢復(fù)時間(trr):< 30 ns

特�

1. 高效的氮化鎵技�(shù)提供了顯著優(yōu)于傳�(tǒng)硅基MOSFET的開�(guān)性能�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻有助于降低傳導(dǎo)損�,提升整體能��
  3. 小巧的封裝設(shè)�(jì)節(jié)省了PCB空間,同時具備良好的散熱性能�
  4. �(nèi)置保�(hù)�(jī)制確保在過流、短路等異常情況下依然保持穩(wěn)定運(yùn)��
  5. 支持高達(dá)�(shù)兆赫茲的開關(guān)頻率,適用于高頻�(yīng)用需��
  6. 與現(xiàn)有控制IC兼容性強(qiáng),簡化了�(shè)�(jì)流程�
  7. 符合RoHS�(huán)保標(biāo)�(zhǔn),滿足全球市場的�(zhǔn)入要��

�(yīng)�

1. USB-PD快充適配�
  2. 無線充電�(fā)射端模塊
  3. LED照明�(qū)動電�
  4. DC-DC�(zhuǎn)換器及PFC(功率因�(shù)校正�(fèi)電子�(shè)備中的高效電源管�
  6. 工業(yè)自動化領(lǐng)域的小型化電源解決方�
  7. 高頻逆變器和電池管理系統(tǒng)

tk72e12n1,s1x(s推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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