TK7S10N1Z 是一款高性能的 N 溝道增強型場效應晶體管(MOSFET),廣泛應用于開關電源、電機驅動和負載切換等場景。其設計特點包括低導通電阻、快速開關速度以及高效率,能夠滿足現代電子設備對功率管理的嚴格要求。
該器件采用 TO-252 封裝形式,具備良好的散熱性能,適合在緊湊型電路中使用。
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:4.8A
導通電阻:13mΩ
總功耗:1.1W
工作結溫范圍:-55℃ to +150℃
1. 極低的導通電阻 (Rds(on)) 提高了系統(tǒng)的整體效率。
2. 快速開關能力使其適用于高頻應用環(huán)境。
3. 高雪崩能量耐受性確保在異常條件下仍能保持可靠運行。
4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝。
5. 內置靜電保護功能增強了器件的魯棒性。
6. 小型化封裝降低了 PCB 占用面積。
1. 開關電源中的同步整流器。
2. DC-DC 轉換器的核心功率開關元件。
3. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關。
4. 各類電機驅動電路中的功率控制單元。
5. 工業(yè)自動化設備中的信號隔離與功率放大。
6. 便攜式電子設備中的高效電能管理模塊。
IRF7404, FDP5800, AO3400