TMB12A05 是一款高性能� N 漚道增強型金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET�,主要應用于開關電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等場景。該器件采用了先進的制造工�,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,從而能夠提高效率并降低功��
� MOSFET 的電壓等級為 1200V,適用于高電壓環(huán)境下的電力電子應�。其封裝形式通常� TO-247 � D2PAK,便于散熱設�,適合在高功率密度場合使��
額定電壓�1200V
額定電流�5A
導通電阻:1.2Ω
柵極電荷�35nC
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�5A
脈沖漏極電流�25A
典型閾值電壓:4V
工作結溫范圍�-55� � 175�
TMB12A05 具備以下關鍵特性:
1. 高擊穿電壓:1200V 的耐壓能力使其能夠在高壓環(huán)境中�(wěn)定運��
2. 低導通電阻:1.2Ω 的導通電阻顯著降低了傳導損�,提高了整體效率�
3. 快速開關性能:優(yōu)化的柵極電荷設計使開關速度更快,適合高頻應��
4. 高可靠性:�(jīng)過嚴格的測試和篩�,確保在惡劣�(huán)境下的長期穩(wěn)定��
5. 熱性能�(yōu)異:采用大功率封�,增強了散熱能力,支持更高功率的應用�
6. 寬工作溫度范圍:支持� -55� � 175� 的結溫范�,適應各種工�(yè)�(huán)��
TMB12A05 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機�(qū)動和控制
4. 太陽能逆變�
5. 電動車充電設�
6. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的高電壓切�
7. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)
8. LED �(qū)動電�
TMB12A06, IRFP260N, STW98N120K5