TMK212BJ225MG-T 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的溝槽式�(jié)�(gòu),具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)性能�
其封裝形式為 TO-263,支持表面貼裝工�,適合大�(guī)模自�(dòng)化生�(chǎn)�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�120A
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�75nC
總電容:25pF
工作溫度范圍�-55� � 175�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有效減少傳�(dǎo)損��
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,降低了�(kāi)�(guān)損��
3. 高雪崩能量能�,提升了器件在異常條件下的可靠��
4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,優(yōu)化了同步整流性能�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
6. 耐熱增強(qiáng)型封�,有助于提高散熱性能�
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) 和適配器�
2. 工業(yè)電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器及逆變��
4. 電動(dòng)工具和家用電器中的功率管理�
5. 太陽(yáng)能微型逆變器和其他可再生能源設(shè)��
IRFP2907, FDP18N40E, IXTH120N40T2