時間：2025/6/3 22:18:47
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TNM1K30K 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高效率功率晶體管，廣泛應用于高頻開關電源、DC-DC 轉換器和無線充電設備等領域。該器件采用先進的 GaN-on-Silicon 工藝制造，具有低導通電阻、快速開關速度和高工作頻率的特點，可顯著提高電力電子系統(tǒng)的性能和能效。
由于其出色的性能，TNM1K30K 在需要高功率密度和高效能轉換的應用中表現(xiàn)尤為突出，適合用于消費類電子產(chǎn)品、工業(yè)電源以及通信設備等。
最大漏源電壓：600V
連續(xù)漏極電流：30A
導通電阻：15mΩ
柵極電荷：80nC
反向恢復時間：20ns
工作溫度范圍：-40℃至150℃
TNM1K30K 的主要特性包括以下幾點：
1. 高擊穿電壓能力，支持高達600V的操作環(huán)境，適用于高壓應用場合。
2. 極低的導通電阻（Rds(on)），在高負載電流下能夠減少功耗，提高整體系統(tǒng)效率。
3. 快速開關特性，其極低的柵極電荷和反向恢復時間使其能夠在高頻條件下保持高效運行，非常適合高頻開關電源設計。
4. 支持寬范圍的工作溫度，從-40℃到+150℃，適應多種惡劣環(huán)境條件。
5. 先進的封裝技術，確保了良好的熱管理和電氣性能，同時提高了產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。
TNM1K30K 主要應用于以下領域：
1. 開關模式電源 (SMPS)，如 AC-DC 和 DC-DC 轉換器。
2. 無線充電設備中的功率傳輸模塊。
3. 電動汽車 (EV) 充電器和逆變器。
4. 工業(yè)電機驅(qū)動和控制系統(tǒng)。
5. 高頻諧振變換器和其他高頻電力電子設備。
這款器件憑借其卓越的性能，可以滿足各類高性能電力電子系統(tǒng)的需求。
TNM1K30J, TNM1K30H
