型號：TP199A2T-CR
　　類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
　　Vds（漏源極耐壓）：60V
　　Rds(on)（導(dǎo)通電阻，典型值）：3.7mΩ
　　Id（連續(xù)漏極電流）：85A
　　Qg（柵極電荷）：12nC
　　FOM（品質(zhì)因數(shù)）：442mΩ·nC
　　BVDSS（擊穿電壓）：60V
　　Tj（結(jié)溫范圍）：-55℃至175℃
　　封裝：TO-252

TP199A2T-CR具備以下顯著特點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），能夠有效降低傳導(dǎo)損耗，提升系統(tǒng)效率。
　　2. 快速開關(guān)能力，適合高頻工作環(huán)境。
　　3. 高電流承載能力，支持高達(dá)85A的連續(xù)漏極電流。
　　4. 寬泛的工作溫度范圍，適應(yīng)極端條件下的使用需求。
　　5. 小型化封裝，節(jié)省PCB板空間，便于緊湊型設(shè)計。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保友好。
　　這些特性使其成為工業(yè)控制、汽車電子和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的理想選擇。

TP199A2T-CR廣泛應(yīng)用于以下幾個領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流和主開關(guān)應(yīng)用。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
　　3. 各類電機(jī)驅(qū)動電路中的功率級元件。
　　4. 電池管理系統(tǒng)（BMS）中的充放電控制。
　　5. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換和保護(hù)。
　　6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
　　由于其出色的性能和可靠性，這款MOSFET適用于對效率和熱管理有嚴(yán)格要求的應(yīng)用場景。

TP199A2T, IRF540N, FDP55N06L