TPGBLC08C是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體�,主要用于開�(guān)和功率管理應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高電流處理能力和快速開�(guān)速度等特點,廣泛適用于各種工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±12V
持續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
總功耗:15W
�(jié)溫范圍:-55℃至175�
TPGBLC08C具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低功率損耗并提高效率�
2. 快速開�(guān)性能,能夠適�(yīng)高頻工作場景�
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
4. 小型封裝�(shè)�,適合高密度電路板布局�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
TPGBLC08C適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的功率開�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)動和�(fù)載切換控��
4. 電池保護(hù)電路和電子保險絲�
5. 各種便攜式設(shè)備的電源管理解決方案�
IRF7404, AO6604