TPH2900ENH,L1Q(M) 是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適合用于多種功率轉(zhuǎn)換和電源管理�(yīng)�。其封裝形式為L(zhǎng)1Q(M),具有良好的散熱性能和緊湊的尺寸,便于在高密度設(shè)�(jì)中使用�
這款MOSFET通常被用作開(kāi)�(guān)元件,在DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電池保�(hù)等電路中�(fā)揮重要作用。通過(guò)�(yōu)化柵極電荷和閾值電壓等參數(shù),TPH2900ENH能夠在高頻工作條件下保持高效能�
型號(hào):TPH2900ENH
封裝:L1Q(M)
�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�20V
持續(xù)漏電�(Id)�26A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷(Qg)�10nC(典型值)
�(kāi)�(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55℃至175�
TPH2900ENH是一款高性能的MOSFET器件,其主要特點(diǎn)如下�
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),可顯著降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻應(yīng)用,有助于減小無(wú)源元件的體積�
3. 高額定電�,能夠承受高�(dá)26A的連續(xù)漏電流,適用于大功率�(chǎng)��
4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,可在廣泛的溫度范圍�(nèi)可靠�(yùn)行�
5. 小巧的L1Q(M)封裝,節(jié)省PCB空間的同�(shí)提供良好的散熱性能�
6. ±20V的柵源電壓耐受能力,增�(qiáng)了器件的魯棒�,防止因誤操作導(dǎo)�?lián)p��
這些特性使TPH2900ENH非常適合要求高效能和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)�,例如同步整�、負(fù)載切換以及電�(jī)控制等領(lǐng)域�
TPH2900ENH,L1Q(M)廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS),包括AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 電池管理系統(tǒng)(BMS),用于電池充放電保護(hù)和均��
3. 各類(lèi)�(fù)載開(kāi)�(guān)�(shè)�(jì),如USB端口保護(hù)和電源路徑管��
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,支持無(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)和其他小型電�(jī)控制�
5. �(guò)流保�(hù)和短路保�(hù)電路�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率分配和信號(hào)隔離�
由于其出色的電氣特性和可靠�,TPH2900ENH成為眾多高功率密度應(yīng)用的理想選擇�
TPH2800ENH, TPH2910ENH