TPR3312-QF11R-S是一款高性能的功率MOSFET芯片,屬于N溝道增強型場效應晶體管。該器件采用了先進的制造工�,具備低導通電阻和快速開關速度的特�,適合在高頻開關電源、DC-DC轉換�、電機驅動等領域使用�
這款MOSFET具有良好的熱性能和電氣性能,能夠承受較高的電流和電壓負載,同時保持較低的能量損�,從而提升整體系�(tǒng)的效��
最大漏源電壓:40V
最大連續(xù)漏極電流�30A
導通電阻(典型值)�4mΩ
柵極電荷�9nC
輸入電容�1500pF
反向傳輸電容�25pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
封裝形式:TO-220
TPR3312-QF11R-S具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電�,能夠在高電流應用中減少功��
2. 高速開關能�,適用于高頻電路設計�
3. 較高的雪崩能量耐受能力,增強了器件的可靠��
4. 熱穩(wěn)定性良�,可以在較寬的工作溫度范圍內可靠運行�
5. 封裝形式堅固耐用,便于散熱和安裝�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且易于維護�
該芯片廣泛應用于各種電力電子設備�,主要領域包括但不限于:
1. 開關模式電源(SMPS)中的功率開關�
2. DC-DC轉換器中的主開關或同步整流元��
3. 電機驅動中的功率級控制�
4. 電池保護電路中的負載開關�
5. 各種工業(yè)控制設備中的功率管理模塊�
TPR3312G-QF11R-S, TPR3312H-QF11R-S