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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > TPS1120DR

TPS1120DR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/7/5 14:19:08 查看 閱讀�986

描述

TPS1120DR集成了兩�(gè)�(dú)立的p溝道增強(qiáng)型MOSFET,這些MOSFET通過(guò)德州儀器LinBiCMOSTM工藝�(jìn)行了�(yōu)�,用于電池供電系�(tǒng)中的3V�5V配電。最大VGS(th)�-1.5V和IDSSTPS1120的電流僅�0.5uA,是低壓便攜式電池管理系�(tǒng)的理想高邊開(kāi)�(guān),其中最大限度地延長(zhǎng)電池壽命是首要考慮因素。由于便攜式�(shè)備可能會(huì)受到靜電放電(ESD)的影�,因此MOSFET具有用于2kVESD保護(hù)的內(nèi)置電�。TPS1120DR的終端設(shè)備包括筆記本電腦、�(gè)人數(shù)字助�(PDA)、移�(dòng)電話、條形碼掃描儀和PCMCIA�。對(duì)于現(xiàn)有設(shè)�(jì),此器件具有與小外形集成電路SOIC封裝中的其他p溝道MOSFET共用的引腳排�。TPS1120DR的特�(diǎn)是工作結(jié)溫范圍TJ�-40°C�150°C�

�(chǎn)品概�

制造商德州儀�
制造商�(chǎn)品編�(hào)TPS1120DR
供應(yīng)�德州儀�
描述MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
詳細(xì)描述MOSFET - 陣列 2 �(gè) P 溝道(�) 15V 1.17A 840mW 表面貼裝� 8-SOIC
類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FET,MOSFET-陣列
工作溫度
-40°C~150°C(TJ)
安裝類型表面貼裝�
封裝/外殼8-SOIC(0.154"�3.90mm�)
供應(yīng)商器件封�8-SOIC
基本�(chǎn)品編�(hào)TPS1120

�(chǎn)品圖�

TPS1120DR

TPS1120DR

�(guī)格參�(shù)

零件狀�(tài)在售
FET類型2�(gè)P溝道(�)
FET功能邏輯電平門
漏源電壓(Vdss)15V
25°C�(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)1.17A
不同Id、Vgs�(shí)�(dǎo)通電�(最大�)180毫歐@1.5A�10V
不同Id�(shí)Vgs(th)(最大�)5.45nC@10V
5.45nC@10V
840mW
�/�集成電路
引腳�(shù)8
連續(xù)漏極電流(ID)1.17�
目前�(píng)�(jí)-1.17�
漏源擊穿電壓15�
秋季�(shí)�秋季�(shí)�
柵源電壓(Vgs)2�
最高工作溫�125�
最大功�840兆瓦
最低工作溫�-40�
元素?cái)?shù)2
打包Digi-Reel?
功�840兆瓦
最大Rds180毫歐
上升�(shí)�10納秒
�(guān)斷延遲時(shí)�13納秒
�(kāi)啟延遲時(shí)�4.5納秒
額定電壓(直流)-15�
高度1.75毫米
�(zhǎng)�4.9毫米
厚度1.58毫米
寬度3.91毫米

�(huán)境與出口分類

屬�描述
RoHS狀�(tài)符合ROHS3�(guī)�
濕氣敏感性等�(jí)(MSL)1(�(wú)�)
REACH狀�(tài)非REACH�(chǎn)�
�(wú)�
�(wú)�
輻射硬化

特點(diǎn)

  • 低rDS(on)0.18在VGS=-10V

  • 3V兼容

  • 不需要外部VCC

  • TTL和CMOS兼容輸入

  • VGS(th)=-1.5V最大�

  • ESD保護(hù)高達(dá)2kV,符合MIL-STD-883C,方�3015

引腳�

CAD模型

TPS1120DR符號(hào)

TPS1120DR符號(hào)

TPS1120DR焊墊

TPS1120DR焊墊

TPS1120DR 3D模型

TPS1120DR 3D模型

封裝

TPS1120DR封裝

TPS1120DR封裝

替代型號(hào)

型號(hào)
制造商
品名
描述
TPS1120D德州儀�MOS�雙P溝道,1.17A,-15V,0.18ohm,-10V,-1.25V
TPS1120DG4德州儀�MOS�SOIC,P-Channel-15V�1.17A�180mohms
TPS1120DRG4德州儀�MOS�SOIC,P-Channel15V�1.17A

tps1120dr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

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tps1120dr圖片

tps1120dr

tps1120dr參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 �(gè) P 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)15V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.17A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C180 毫歐 @ 1.5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs5.45nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�840mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOIC
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱296-1352-6