TSP5N60M是一種N溝道增強型功率場效應晶體管(MOSFET�,廣泛應用于開關電源、電機驅�、逆變器等領域。該器件采用了先進的制造工�,具有低導通電阻和高開關速度的特�,能夠在高頻應用中提供卓越的性能�
型號:TSP5N60M
類型:N-Channel MOSFET
漏源極電�(Vds)�600V
連續(xù)漏極電流(Id)�5A
柵源極電�(Vgs):�20V
導通電�(Rds(on))�3.2Ω(典型�,在Vgs=10V�)
功�(Ptot)�15W
結溫范圍(Tj)�-55� to +175�
封裝形式:TO-220
TSP5N60M具有以下關鍵特性:
1. 高擊穿電壓:該器件支持高�600V的漏源極電壓,適用于高壓電路�
2. 低導通電阻:在Vgs=10V�,其典型導通電阻為3.2Ω,可顯著降低傳導損��
3. 快速開關能力:�(yōu)化的設計使得器件能夠實現(xiàn)快速的開啟和關�,減少開關損��
4. 熱穩(wěn)定性:寬泛的結溫范圍使其能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定工��
5. 高可靠性:通過嚴格的測試和篩選流程,確保了長期使用的可靠��
TSP5N60M因其高性能和可靠�,廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源(SMPS):包括適配器、充電器��
2. 電機控制:用于無刷直流電�(BLDC)和其他類型的電機驅動�
3. 逆變器:適合于太陽能逆變器和其他電力轉換系統(tǒng)�
4. 工業(yè)自動化設備:如伺服驅動器、PLC控制器等�
5. 汽車電子:例如車載充電器、電動座椅驅動等�
TSP5N60,
IRFZ44N,
FQP50N06L