UBQ10A05L04 是一款高性能� N 溝道增強型金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),廣泛應用于電源管�、負載開關和 DC-DC 轉換等電路中。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電�、快速開關特性和高可靠性,適用于多種消費電子和工業(yè)應用�
UBQ10A05L04 的封裝形式為超薄小外形晶體管(SOT)封�,能夠提供優(yōu)異的散熱性能并節(jié)省印刷電路板空間�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�6.8A
導通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷�9nC
開關時間(典型值):ton=7ns, toff=16ns
結溫范圍�-55� � +150�
封裝形式:SOT-23
UBQ10A05L04 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電�,有助于降低功耗并提高效率�
2. 快速開關速度,適合高頻應用�
3. 高雪崩擊穿能量能�,增強了器件在異常條件下的魯棒��
4. 小尺寸封�,非常適合空間受限的設計�
5. 支持高電流操作,滿足�(xiàn)代電子設備對功率的需��
6. 熱穩(wěn)定性好,能夠在寬溫度范圍內可靠工作�
UBQ10A05L04 主要應用于以下領域:
1. 開關電源中的同步整流和降壓轉��
2. 手機和平板電腦等便攜式設備中的負載開關�
3. LED 驅動器和固態(tài)照明系統(tǒng)�
4. 電池保護和管理系�(tǒng)�
5. 工業(yè)控制中的信號調節(jié)與驅動電��
6. �(shù)�(jù)通信設備中的電源管理模塊�
AO3400A
IRLML6401
SI2302DS
FDMQ8205