UCC27511AQDBVRQ1 是一款高性能、低延遲的單通道柵極�(qū)�(dòng)�,專為高效驅(qū)�(dòng)碳化� (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) 場效�(yīng)晶體管而設(shè)�(jì)。該芯片能夠提供高達(dá) 4 A 的拉電流和灌電流,并具有快速的�(dǎo)通和�(guān)斷時(shí)�,從而顯著提高開�(guān)性能�
其超低傳播延遲特性使得它非常適合高頻開關(guān)�(yīng)�,同�(shí)�(nèi)置的欠壓鎖定 (UVLO) 功能可確保安全運(yùn)行。此�,該芯片還具備短路保�(hù)功能,增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠��
最大輸出電流:±4 A
電源電壓范圍�4.5 V � 18 V
傳播延遲�30 ns(典型值)
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
封裝類型:QDBVR�8 引腳�
靜態(tài)電流�2 mA(典型值)
UCC27511AQDBVRQ1 提供了多種卓越的特性以支持高效、可靠的功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。首�,其高驅(qū)�(dòng)能力能夠快速切� SiC � GaN 器件,降低開�(guān)損耗并提升效率�
其次,該芯片擁有非常低的傳播延遲,這對于需要快速響�(yīng)的應(yīng)用至�(guān)重要。內(nèi)� UVLO 功能可在電源電壓低于閾值時(shí)�(guān)閉輸�,防止器件在不穩(wěn)定條件下工作�
此外,該芯片還具備出色的抗噪能力,能夠有效抑制誤觸發(fā)。整體而言,UCC27511AQDBVRQ1 的緊湊封裝和高性能使其成為�(xiàn)代高頻功率電子的理想選擇�
UCC27511AQDBVRQ1 廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 工業(yè)電源和適配器
2. 太陽能逆變�
3. 電動(dòng)汽車 (EV) 充電�
4. �(shù)�(jù)中心電源模塊
5. 開關(guān)模式電源 (SMPS)
6. LED �(qū)�(dòng)�
7. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制�
由于其對 SiC � GaN 器件的支�,該芯片特別適合高頻和高效率需求的場合�
UCC27511AQMCRQ1