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UCC27511AQDBVRQ1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 14:16:00 查看 閱讀�21

UCC27511AQDBVRQ1 是一款高性能、低延遲的單通道柵極�(qū)�(dòng)�,專為高效驅(qū)�(dòng)碳化� (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) 場效�(yīng)晶體管而設(shè)�(jì)。該芯片能夠提供高達(dá) 4 A 的拉電流和灌電流,并具有快速的�(dǎo)通和�(guān)斷時(shí)�,從而顯著提高開�(guān)性能�
  其超低傳播延遲特性使得它非常適合高頻開關(guān)�(yīng)�,同�(shí)�(nèi)置的欠壓鎖定 (UVLO) 功能可確保安全運(yùn)行。此�,該芯片還具備短路保�(hù)功能,增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠��

參數(shù)

最大輸出電流:±4 A
  電源電壓范圍�4.5 V � 18 V
  傳播延遲�30 ns(典型值)
  工作溫度范圍�-40°C � +125°C
  封裝類型:QDBVR�8 引腳�
  靜態(tài)電流�2 mA(典型值)

特�

UCC27511AQDBVRQ1 提供了多種卓越的特性以支持高效、可靠的功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。首�,其高驅(qū)�(dòng)能力能夠快速切� SiC � GaN 器件,降低開�(guān)損耗并提升效率�
  其次,該芯片擁有非常低的傳播延遲,這對于需要快速響�(yīng)的應(yīng)用至�(guān)重要。內(nèi)� UVLO 功能可在電源電壓低于閾值時(shí)�(guān)閉輸�,防止器件在不穩(wěn)定條件下工作�
  此外,該芯片還具備出色的抗噪能力,能夠有效抑制誤觸發(fā)。整體而言,UCC27511AQDBVRQ1 的緊湊封裝和高性能使其成為�(xiàn)代高頻功率電子的理想選擇�

�(yīng)�

UCC27511AQDBVRQ1 廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 工業(yè)電源和適配器
  2. 太陽能逆變�
  3. 電動(dòng)汽車 (EV) 充電�
  4. �(shù)�(jù)中心電源模塊
  5. 開關(guān)模式電源 (SMPS)
  6. LED �(qū)�(dòng)�
  7. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  由于其對 SiC � GaN 器件的支�,該芯片特別適合高頻和高效率需求的場合�

替代型號

UCC27511AQMCRQ1

ucc27511aqdbvrq1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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ucc27511aqdbvrq1資料 更多>

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ucc27511aqdbvrq1參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �11.13000剪切帶(CT�3,000 : �5.05614卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • �(qū)�(dòng)配置低端
  • 通道類型單路
  • �(qū)�(dòng)器數(shù)1
  • 柵極類型IGBT,N 溝道 MOSFET
  • 電壓 - 供電4.5V ~ 18V
  • 邏輯電壓?- VIL,VIH1V�2.4V
  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出)4A�8A
  • 輸入類型反相,非反相
  • 高壓�(cè)電壓 - 最大值(自舉�-
  • 上升/下降�(shí)間(典型值)8ns�7ns
  • 工作溫度-40°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼SOT-23-6
  • 供應(yīng)商器件封�SOT-23-6