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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > UCC27528QDRQ1

UCC27528QDRQ1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 18:54:03 查看 閱讀�11

UCC27538QDRQ1 是一款由德州儀器(TI)推出的高性能雙通道柵極�(qū)�(dòng)�,專為驅(qū)�(dòng)功率MOSFET和IGBT�(shè)�(jì)。該芯片具有快速開�(guān)特�、高�(qū)�(dòng)電流以及出色的抗噪能�,適用于高頻開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)逆變器等�(yīng)用領(lǐng)��
  UCC27538QDRQ1采用小尺寸封裝,支持高達(dá)-5V的負(fù)電壓尖峰抑制,從而提高了系統(tǒng)的可靠性和�(wěn)定性。其輸入兼容�(biāo)�(zhǔn)CMOS和LSTTL邏輯電平,能夠方便地與各種控制器接口。此�,該器件還具有低傳播延遲和匹配延遲時(shí)間的特點(diǎn),確保了同步整流和橋式拓?fù)渲械木_�(shí)序控��

參數(shù)

工作電壓�4.5V�18V
  輸出�(qū)�(dòng)電流:�6A
  傳播延遲:典型�9ns
  匹配延遲�(shí)間:最大�3ns
  工作溫度范圍�-40°C�+125°C
  封裝形式:DSOP-8
  輸入閾值:1.2V(低��2.4V(高�
  隔離耐壓:無(wú)
  峰值脈沖電流:6A
  保護(hù)功能:無(wú)�(nèi)置過(guò)流或�(guò)熱保�(hù)

特�

UCC27538QDRQ1是一款高性能的雙通道柵極�(qū)�(dòng)�,具備以下主要特性:
  1. 高達(dá)±6A的輸出驅(qū)�(dòng)電流,可以快速充放電以驅(qū)�(dòng)功率MOSFET和IGBT�
  2. 工作電壓范圍寬廣,從4.5V�18V,適合多種應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 輸入兼容�(biāo)�(zhǔn)CMOS和LSTTL邏輯電平,簡(jiǎn)化了與不同控制器的接口設(shè)�(jì)�
  4. 具有非常低的傳播延遲(典型�9ns)以及匹配良好的延遲�(shí)間(最�3ns),有助于實(shí)�(xiàn)精準(zhǔn)的時(shí)序控��
  5. 支持高達(dá)-5V的負(fù)電壓尖峰抑制,增�(qiáng)了系�(tǒng)的魯棒性�
  6. 封裝形式為DSOP-8,體積小�,節(jié)省PCB空間�
  7. 工作溫度范圍�-40°C�+125°C,適�(yīng)惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�
  8. 提供卓越的抗噪聲能力,確保在高干擾環(huán)境下仍能保持正常工作�

�(yīng)�

UCC27538QDRQ1廣泛�(yīng)用于需要高效驅(qū)�(dòng)功率MOSFET和IGBT的場(chǎng)�,具體包括:SMPS�,例如AC-DC�(zhuǎn)換器、DC-DC變換��
  2. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)�,如�(wú)刷直流電�(jī)(BLDC�、步�(jìn)電機(jī)�(qū)�(dòng)�
  3. 工業(yè)逆變器及變頻器系�(tǒng)�
  4. 能量存儲(chǔ)系統(tǒng)中的電池管理模塊�
  5. LED�(qū)�(dòng)電路�
  6. 光伏逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換設(shè)��
  7. 電動(dòng)車充電站及車載電子設(shè)備中的功率級(jí)�(qū)�(dòng)部分�

替代型號(hào)

UCC27534DBVRQ1
  UCC27518DGQR
  IR2110
  TC4420

ucc27528qdrq1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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ucc27528qdrq1資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
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ucc27528qdrq1參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�2,500 : �9.99303卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • �(qū)�(dòng)配置低端
  • 通道類型�(dú)立式
  • �(qū)�(dòng)器數(shù)2
  • 柵極類型IGBT,N 溝道 MOSFET
  • 電壓 - 供電4.5V ~ 18V
  • 邏輯電壓?- VIL,VIH-
  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出)5A�5A
  • 輸入類型非反�
  • 高壓�(cè)電壓 - 最大值(自舉�-
  • 上升/下降�(shí)間(典型值)7ns�6ns
  • 工作溫度-40°C ~ 140°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商器件封�8-SOIC