UE878NMEG_R是一款高性能的MOSFET功率晶體�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱穩(wěn)定性等特�。其封裝形式為TO-263,能夠滿足大功率�(yīng)用的需��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�50A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
總功耗:140W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳�(dǎo)損耗并提高效率�
2. 高電流處理能�,支持高�(dá)50A的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)��
4. 良好的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定工��
5. 封裝�(jié)�(gòu)緊湊且耐用,易于安裝和散熱�(shè)�(jì)�
6. �(nèi)置ESD保護(hù),提高了器件的可靠��
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)��
2. 工業(yè)電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換�
4. LED�(qū)�(dòng)器和DC-DC�(zhuǎn)換器�
5. 各類需要高效功率管理的�(yīng)用場景�
IRFZ44N, FDP5560, STP55NF06L