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UE878NMEG_R 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 17:40:45 查看 閱讀�17

UE878NMEG_R是一款高性能的MOSFET功率晶體�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱穩(wěn)定性等特�。其封裝形式為TO-263,能夠滿足大功率�(yīng)用的需��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�50A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  總功耗:140W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳�(dǎo)損耗并提高效率�
  2. 高電流處理能�,支持高�(dá)50A的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)��
  4. 良好的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定工��
  5. 封裝�(jié)�(gòu)緊湊且耐用,易于安裝和散熱�(shè)�(jì)�
  6. �(nèi)置ESD保護(hù),提高了器件的可靠��

�(yīng)�

1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)��
  2. 工業(yè)電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路�
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換�
  4. LED�(qū)�(dòng)器和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  5. 各類需要高效功率管理的�(yīng)用場景�

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP5560, STP55NF06L

ue878nmeg_r推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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  • 詢價(jià)