UG2KB100G 是一款基于碳化硅 (SiC) 材料制造的功率 MOSFET 芯片。該芯片以其卓越的開�(guān)性能、高效率和高溫穩(wěn)定性而聞名,適用于高頻和高功率應(yīng)用領(lǐng)�。其先進的封裝�(shè)計有助于提升散熱性能,從而提高整體系�(tǒng)可靠�。這款器件廣泛�(yīng)用于電動汽車充電站、太陽能逆變器以及工�(yè)電源等領(lǐng)��
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�100A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�30nC
開關(guān)頻率�100kHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
UG2KB100G 具有出色的電氣性能和熱管理能力。它采用了最新的 SiC 技�(shù),使得導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗顯著降�,從而提高了系統(tǒng)的整體效�。此外,該芯片還具備快速的開關(guān)速度,能夠有效減少電磁干� (EMI),并且能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運行�
在實際應(yīng)用中,UG2KB100G 的低�(dǎo)通電阻特性可以大幅降低功�,同時其高耐壓能力確保了在高壓�(huán)境下的安全操�。另�,由于其支持高達 175� 的結(jié)�,因此非常適合對散熱要求較高的場合�
該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器
2. 電動汽車充電�
3. 太陽能光伏逆變�
4. 不間斷電� (UPS)
5. 工業(yè)電機�(qū)�
6. 高頻開關(guān)電源
C2M0160120D
FFSH100R12KE4
STPSC100H12T4